[發明專利]蝕刻方法

有效

• 申請號: 201080035963.5
• 申請日: 2010-08-12
• 公開（公告）號: CN102473633A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: 森川泰宏;鄒弘綱
• 申請（專利權）人: 株式會社愛發科
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 北京英特普羅知識產權代理有限公司 11015
• 代理人: 齊永紅

1.一種蝕刻方法，其在處理室內使等離子產生，蝕刻由設置在該處理室內的基板電極上的硅構成的被處理體，所述蝕刻方法，其特征在于包括：

使用含鹵化氫氣體的蝕刻工序，其向所述處理室內導入含鹵化氫氣體，蝕刻所述被處理體；

使用含氟氣體的蝕刻工序，其向所述處理室內導入含氟氣體，蝕刻所述被處理體；

保護膜形成工序，其濺鍍與所述被處理體相向設置的固體材料，在所述被處理體上形成保護膜；

保護膜去除工序，其向所述基板電極施加高頻偏壓功率，去除所述保護膜的一部分，

將所述使用含氟氣體的蝕刻工序、所述保護膜形成工序及所述保護膜去除工序以此順序重復進行。

2.根據權利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于：

在最開始進行所述使用含鹵化氫氣體的蝕刻工序。

3.根據權利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于：

在所述使用含鹵化氫氣體的蝕刻工序之后，將所述使用含氟氣體的蝕刻工序、所述保護膜形成工序及所述保護膜去除工序以此順序重復進行。

4.根據權利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于：

在將所述使用含氟氣體的蝕刻工序、所述保護膜形成工序及所述保護膜去除工序以此順序重復進行后，進行所述使用含鹵化氫氣體的蝕刻工序。

5.根據權利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于：

交互進行

所述使用含鹵化氫氣體的蝕刻工序；以及

將所述使用含氟氣體的蝕刻工序、所述保護膜形成工序及所述保護膜去除工序以此順序重復進行的工序。

6.一種蝕刻方法，其在處理室內產生等離子，蝕刻由該處理室內設置的基板電極上的硅構成的被處理體，所述蝕刻方法，其特征在于包括：

使用含鹵化氫氣體的蝕刻工序，其向所述處理室內導入含鹵化氫氣體，蝕刻所述被處理體；

保護膜形成工序，其濺鍍與所述被處理體相向設置的固體材料，在所述被處理體上形成保護膜；

使用含氟氣體的蝕刻工序，其在向所述處理室內導入含氟氣體的同時向所述基板電極施加高頻偏壓功率，在去除所述保護膜的一部分的同時蝕刻所述被處理體，

將所述保護膜形成工序和所述使用含氟氣體的蝕刻工序以此順序重復進行。

7.根據權利要求6的所述蝕刻方法，其特征在于：

在最開始進行所述使用含鹵化氫氣體的蝕刻工序。

8.根據權利要求6的所述蝕刻方法，其特征在于：

在所述使用含鹵化氫氣體的蝕刻工序之后，將所述保護膜形成工序和所述使用含氟氣體的蝕刻工序以此順序重復進行。

9.根據權利要求6的所述蝕刻方法，其特征在于：

在將所述保護膜形成工序和所述使用含氟氣體的蝕刻工序以此順序重復進行后，進行所述使用含鹵化氫氣體的蝕刻工序。

10.根據權利要求6的所述蝕刻方法，其特征在于：

交互進行

所述使用含鹵化氫氣體的蝕刻工序；以及

將所述保護膜形成工序與所述使用含氟氣體的蝕刻工序以此順序重復進行的工序。

11.根據權利要求1～10中任意一項中的所述蝕刻方法，其特征在于：

所述含鹵化氫氣體包含氟元素。

12.根據權利要求1～11中任意一項所述蝕刻方法，其特征在于：

所述鹵化氫是從碘化氫、氯化氫及溴化氫構成的組中選出的至少一種。

13.根據權利要求1～12中任意一項所述蝕刻方法，其特征在于：

所述含氟氣體，包含從六氟化硫氣體、三氟化氮氣體、氟氣、四氟化硅氣體、二氟化氙氣體、氟化碘氣體及碘化碳氟化合物氣體構成的組中選出的至少一種。

14.根據權利要求1～13中任意一項所述蝕刻方法，其特征在于：

所述固體材料，使用從氟樹脂、硅、碳、碳化硅、氧化硅及氮化硅構成的組中選出的材料構成。