[發明專利]氯硅烷類的提純方法有效
| 申請號： | 201080035441.5 | 申請日： | 2010-07-07 |
| 公開（公告）號： | CN102471076A | 公開（公告）日： | 2012-05-23 |
| 發明（設計）人： | 永井直樹;清水孝明;上原克浩;久保田透 | 申請（專利權）人： | 信越化學工業株式會社 |
| 主分類號： | C01B33/107 | 分類號： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德駿 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅烷 提純 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種氯硅烷類的提純方法，其中使用芳香族醛作為雜質除去劑，并添加非親核性路易斯堿作為固體副產物形成抑制劑。
2.根據權利要求1所述的氯硅烷類的提純方法，其中所述固體副產物形成抑制劑包含至少一種含二價硫的化合物。
3.根據權利要求2所述的氯硅烷類的提純方法，其中所述含二價硫的化合物是由下式(1)表示的化合物：
R-S-R′???????????(1)
其中R是包含脂肪族或芳香族骨架的碳原子數為1至20的烴基；R′是包含脂肪族或芳香族骨架的碳原子數為1至20的烴基，或者由包含脂肪族或芳香族骨架的碳原子數為1至20的烴基取代的羰基；且R和R′中的碳原子的總數為7以上。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的氯硅烷類的提純方法，其中所述固體副產物形成抑制劑包含至少一種烷氧基硅烷。
5.根據權利要求4所述的氯硅烷類的提純方法，其中所述烷氧基硅烷是由下式(2)表示的化合物：
RxSi(O?R′)4-x????(2)
其中R和R′各自為碳原子數為1至20的烷基，且x是0、1、2或3。
6.根據權利要求1至3中任一項所述的氯硅烷類的提純方法，其中所述氯硅烷類包括三氯硅烷(HSiCl3)。
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