[發(fā)明專利]微多孔膜卷繞物及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080035055.6
• 申請日: 2010-08-25
• 公開（公告）號: CN102473886A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發(fā)明（設計）人: 稻垣大助;武田久;稻葉真太郎
• 申請（專利權(quán)）人: 旭化成電子材料株式會社
• 主分類號: H01M2/16
• 分類號: H01M2/16;C08J5/18;C08J9/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種微多孔膜卷繞物，其是在卷芯上卷繞微多孔膜而成的微多孔膜卷繞物，所述卷芯的外徑為5英寸以上且卷芯的外表面的表面粗糙度為3.0μm以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微多孔膜卷繞物，其中，所述卷芯的外表面的均方根粗糙度為3.0μm以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微多孔膜卷繞物，其中，所述卷芯的外表面的曲線要素的平均長度為300μm以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的微多孔膜卷繞物，其中，所述卷芯的熱膨脹系數(shù)的絕對值為150×10^-6/K以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的微多孔膜卷繞物，其中，所述卷芯的溶脹率為0.06％以下。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的微多孔膜卷繞物，其中，所述微多孔膜卷繞物的層疊次數(shù)除以卷長(m)所得的值為2.0以下。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項所述的微多孔膜卷繞物，其中，所述卷芯在平臺上的最大晃動為0.30mm以下，所述平臺水平設置且具有比該卷芯的垂直于旋轉(zhuǎn)軸的側(cè)面更大的面。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項所述的微多孔膜卷繞物，其中，所述微多孔膜的MD拉伸模量和TD拉伸模量均為10～120N/cm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項所述的微多孔膜卷繞物，其中，所述卷芯的外徑為5～15英寸。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任一項所述的微多孔膜卷繞物，其中，所述微多孔膜由聚烯烴形成，該聚烯烴至少含有重均分子量為50萬以下的聚乙烯。

11.根據(jù)權(quán)利要求1～10中任一項所述的微多孔膜卷繞物，其中，所述微多孔膜由重均分子量為50萬以下的聚乙烯來形成。

12.一種鋰離子二次電池，其使用由權(quán)利要求1～11中任一項所述的微多孔膜卷繞物得到的微多孔膜而成。

13.一種微多孔膜卷繞物的制造方法，其包括：

卷芯的準備工序，所述卷芯的外徑為5英寸以上且卷芯的外表面的表面粗糙度為3.0μm以下；

微多孔膜的準備工序；和

在所述卷芯上卷繞所述微多孔膜的工序。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的微多孔膜卷繞物的制造方法，其中，所述卷芯的外表面的均方根粗糙度為3.0μm以下。

15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的微多孔膜卷繞物的制造方法，其中，所述卷芯的外表面的曲線要素的平均長度為300μm以下。

16.根據(jù)權(quán)利要求13～15中任一項所述的微多孔膜卷繞物的制造方法，其中，所述卷芯的熱膨脹系數(shù)的絕對值為150×10^-6/K以下。

17.根據(jù)權(quán)利要求13～16中任一項所述的微多孔膜卷繞物的制造方法，其中，所述卷芯的溶脹率為0.06％以下。

18.根據(jù)權(quán)利要求13～17中任一項所述的微多孔膜卷繞物的制造方法，其中，所述微多孔膜卷繞物的層疊次數(shù)除以卷長(m)所得的值為2.0以下。

19.根據(jù)權(quán)利要求13～18中任一項所述的微多孔膜卷繞物的制造方法，其中，所述卷芯在平臺上的最大晃動為0.30mm以下，所述平臺水平設置且具有比該卷芯的垂直于旋轉(zhuǎn)軸的側(cè)面更大的面。

20.根據(jù)權(quán)利要求13～19中任一項所述的微多孔膜卷繞物的制造方法，其中，所述微多孔膜的MD拉伸模量和TD拉伸模量均為10～120N/cm。

21.根據(jù)權(quán)利要求13～20中任一項所述的微多孔膜卷繞物的制造方法，其中，所述卷芯的外徑為5～15英寸。

22.根據(jù)權(quán)利要求13～21中任一項所述的微多孔膜卷繞物的制造方法，其中，所述微多孔膜由聚烯烴形成，該聚烯烴至少含有重均分子量為50萬以下的聚乙烯。

23.根據(jù)權(quán)利要求13～22中任一項所述的微多孔膜卷繞物的制造方法，其中，所述微多孔膜由重均分子量為50萬以下的聚乙烯來形成。