[發(fā)明專利]半導(dǎo)體模塊和散熱構(gòu)件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201080034710.6 | 申請(qǐng)日： | 2010-07-15 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102473694A | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-05-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 征矢野伸;小野正樹(shù);鈴木健司;兩角朗 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 富士電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/373 | 分類號(hào)： | H01L23/373 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 張?chǎng)?/td> |
| 地址： | 日本神*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 模塊 散熱 構(gòu)件 | ||
1.一種半導(dǎo)體模塊，包括：
散熱構(gòu)件，包括：
含鋁的第一構(gòu)件，以及
含銅的第二構(gòu)件，所述第二構(gòu)件嵌在所述第一構(gòu)件中并且其側(cè)面被所述第一構(gòu)件包圍；以及
熱連接到所述散熱構(gòu)件的半導(dǎo)體元件。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，散熱片排列在所述第一構(gòu)件上。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，穿透所述第一構(gòu)件且從所述第一構(gòu)件突出的散熱片排列在所述第二構(gòu)件上。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，所述第二構(gòu)件具有從所述第一構(gòu)件露出的暴露表面。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于：
所述第一構(gòu)件具有腔；以及
在所述腔中露出所述第二構(gòu)件的暴露表面。
6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，所述第二構(gòu)件的暴露表面從所述第一構(gòu)件的一端突出。
7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，所述第一構(gòu)件覆蓋所述第二構(gòu)件的暴露表面?zhèn)壬系倪吘壊糠帧?/p>
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，所述第一構(gòu)件覆蓋所述第二構(gòu)件的暴露表面?zhèn)壬系倪吘壊糠帧?/p>
9.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，所述第一構(gòu)件的一端和所述第二構(gòu)件的暴露表面齊平。
10.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于：
所述第二構(gòu)件在暴露表面?zhèn)鹊拿恳粋€(gè)邊緣部分上具有一臺(tái)階；以及
所述第一構(gòu)件覆蓋所述邊緣部分。
11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于：
所述第二構(gòu)件在暴露表面?zhèn)鹊拿恳粋€(gè)邊緣部分上具有一臺(tái)階；以及
所述第一構(gòu)件覆蓋所述邊緣部分。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，所述第二構(gòu)件中的接觸所述第一構(gòu)件的側(cè)面是不規(guī)則的。
13.一種散熱構(gòu)件，包括
含鋁的第一構(gòu)件；以及
含銅的第二構(gòu)件，所述第二構(gòu)件嵌在所述第一構(gòu)件中并且其側(cè)面被所述第一構(gòu)件包圍。
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