[發明專利]磁致伸縮膜、磁致伸縮組件、扭力傳感器、力傳感器、壓力傳感器及其制造方法有效
| 申請號： | 201080034679.6 | 申請日： | 2010-07-30 |
| 公開（公告）號： | CN102576800A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發明（設計）人： | 本江克次;中島浩二;石川智仁;杉山雅治;五十嵐貴教;脇若弘之;牧野彰宏;井上明久 | 申請（專利權）人： | 都美工業株式會社;國立大學法人信州大學;國立大學法人東北大學 |
| 主分類號： | H01L41/12 | 分類號： | H01L41/12;C23C4/06;C23C4/12;G01L1/12;G01L3/10;G01L9/16;H01F10/13;H01L29/84;C22C45/02 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 趙根喜;馮志云 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 伸縮 組件 扭力 傳感器 壓力傳感器 及其 制造 方法 | ||
1.一種磁致伸縮膜，是由金屬玻璃的膜所構成，該金屬玻璃的膜是熔射形成在被檢體上，且以比玻璃遷移溫度低且在居里點溫度以上進行熱處理為特征者，
該磁致伸縮膜在-15kA/m以上、+15kA/m以下的磁場范圍中的至少一部分的范圍內，顯現磁場與磁致伸縮的直線特性。
2.根據權利要求1所述的磁致伸縮膜，其特征在于，所述金屬玻璃是以Fe為主成分，且Fe含量為30至80原子％。
3.根據權利要求2所述的磁致伸縮膜，其特征在于，所述金屬玻璃系為Fe·Si·B·M或Fe·Si·B·P·C·M(M＝Cr、Nb、Ta、W、Ni、Co、Hf、Mo、或M＝無)。
4.根據權利要求3所述的磁致伸縮膜，其特征在于，所述金屬玻璃是為Fe76Si5.7B9.5P5C3.8。
5.根據權利要求1至4中任一權利要求所述的磁致伸縮膜，其特征在于，所述金屬玻璃的膜是以高速火焰熔射法、或等離子體熔射法所形成。
6.根據權利要求1至5中任一權利要求所述的磁致伸縮膜，其特征在于，所述金屬玻璃的膜的厚度是為50μm以上。
7.一種磁致伸縮組件，其特征為：具有權利要求1至6中任一權利要求記載的磁致伸縮膜而構成，且轉換機械性能量與磁氣能量。
8.一種扭力傳感器，是使用權利要求1至7中任一權利要求所述的磁致伸縮膜或磁致伸縮組件。
9.一種力傳感器，是使用權利要求1至7中任一權利要求所述的磁致伸縮膜或磁致伸縮組件。
10.一種壓力傳感器，是使用權利要求1至7中任一權利要求所述的磁致伸縮膜或磁致伸縮組件。
11.一種磁致伸縮膜的制造方法，是在-15kA/m以上、+15kA/m以下的磁場范圍中的至少一部分的范圍內顯現磁場與磁致伸縮的直線特性的磁致伸縮膜的制造方法，該磁致伸縮膜的制造方法的特征為：
在被檢體上熔射形成金屬玻璃的膜，
所述熔射形成是利用高速火焰熔射法或等離子體熔射法，
在熔射形成后，在比玻璃遷移溫度低且在居里點溫度以上的溫度進行熱處理。
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