[發(fā)明專利]用于半導(dǎo)體處理中的銅移除及平面化的濕蝕刻方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080034653.1
• 申請日: 2010-07-27
• 公開（公告）號: CN102473628A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 史蒂文·T·邁爾;埃里克·韋布;戴維·W·波特
• 申請（專利權(quán)）人: 諾發(fā)系統(tǒng)有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/28
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 沈錦華

相關(guān)申請案交叉參考

本申請案為主張2007年7月30日提出申請、標(biāo)題為“用于制作半導(dǎo)體互連結(jié)構(gòu)的方法(Method?for?Fabrication?of?Semiconductor?Interconnect?Structure)”、將史蒂文·T.邁爾(Steven?T.Mayer)等人提名為發(fā)明人的第11/888,312號美國專利申請案的優(yōu)先權(quán)的部分接續(xù)案，第11/888,312號美國專利申請案為主張2006年10月24日提出申請(2009年5月12日作為第7,531,463號美國專利發(fā)布)、標(biāo)題為“用于制作半導(dǎo)體互連結(jié)構(gòu)的方法(Method?for?Fabrication?of?Semiconductor?Interconnect?Structure)”、將丹尼爾·A.庫斯(Daniel?A.Koos)等人提名為發(fā)明人的第11/586,394號美國專利申請案的優(yōu)先權(quán)的部分接續(xù)案，第11/586,394號美國專利申請案為主張2003年10月20日提出申請(2008年3月4日作為第7,338,908號美國專利發(fā)布)、標(biāo)題為“用于制作具有減小的電容、泄漏電流及經(jīng)改進(jìn)擊穿電壓的半導(dǎo)體互連結(jié)構(gòu)的方法(Method?for?Fabrication?of?Semiconductor?Interconnect?Structure?with?Reduced?Capacitance，Leakage?Current，and?Improved?Breakdown?Voltage)”、將丹尼爾·A.庫斯等人提名為發(fā)明人的第10/690,084號美國專利申請案的優(yōu)先權(quán)的部分接續(xù)案。本申請案也為主張由邁爾等人在2006年11月20日提出申請、具有標(biāo)題“通過選擇性加速劑移除進(jìn)行的形貌減少及控制(Topography?Reduction?and?Control?by?Selective?Accelerator?Removal)”的第11/602,128號美國專利申請案的優(yōu)先權(quán)的部分接續(xù)申請案，第11/602,128號美國專利申請依據(jù)35USC?119(e)主張由邁爾等人在2005年11月19日提出申請的第60/737,978號美國臨時(shí)申請案的權(quán)益。第11/602,128號美國專利申請案也為主張由邁爾等人在2006年10月5日提出申請的第11/544,957號美國專利申請案的優(yōu)先權(quán)的部分接續(xù)申請案，第11/544,957號美國專利申請案主張2005年10月5日提出申請、標(biāo)題為“選擇性電化學(xué)加速劑移除(Selective?Electrochemical?Accelerator?Removal)”的第60/724,209號美國臨時(shí)申請案的權(quán)益。第11/602,128號美國專利申請案也為主張由朱爾瑞(Drewery)等人在2004年4月13日提出申請(在2008年7月29日作為第7,405,163號美國專利公布)、具有標(biāo)題“金屬特征的選擇加速的電鍍(Selectively?Accelerated?Plating?of?Metal?Features)”的第10/824,069號美國專利申請案的優(yōu)先權(quán)的部分接續(xù)申請案。第11/602,128號美國專利申請案也為主張由邁爾等人在2003年12月17日提出申請(在2008年11月11日作為第7,449,098號美國專利公布)、具有標(biāo)題“用于平面電鍍的方法(Method?for?Planar?Electroplating)”的第10/739,822號美國專利申請案的優(yōu)先權(quán)的部分接續(xù)申請案。第11/602,128號美國專利申請案也為主張由庫斯等人在2003年10月20日提出申請(在2008年3月4日作為第7,338,908號美國專利公布)、標(biāo)題為“用于制作具有減小的電容、泄漏電流及經(jīng)改進(jìn)擊穿電壓的半導(dǎo)體互連結(jié)構(gòu)的方法(Method?For?Fabrication?Of?Semiconductor?Interconnect?Structure?With?Reduced?Capacitance，Leakage?Current，And?Improved?Breakdown?Voltage)”的第10/690,084號美國專利申請案的優(yōu)先權(quán)的部分接續(xù)申請案。第11/602,128號美國專利申請案也為主張由巴頓等人在2003年10月24日提出申請(在2007年3月13日作為第7,189,647號美國專利公布)、標(biāo)題為“用于半導(dǎo)體晶片的濕處理的序列工具(Sequential?Tool?for?Wet?Processing?of?Semiconductor?Wafers)”的第10/693,223號美國專利申請案的優(yōu)先權(quán)的部分接續(xù)申請案。這些文檔中的每一者以全文引用的方式且出于所有目的并入本文中。