[發(fā)明專利]光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080034145.3
• 申請日: 2010-05-07
• 公開（公告）號: CN102473757A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宮原弘臣;吳屋真之;坂井智嗣;西宮立享
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱重工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04;C23C16/24;H01L21/205
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 高培培;車文

1.一種光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，包含在基板上形成光電轉(zhuǎn)換層的工序，該光電轉(zhuǎn)換層具備以結(jié)晶硅為主的i層，其中，

根據(jù)所述i層的拉曼比決定所述i層中的雜質(zhì)的濃度的上限值，

制成該決定的雜質(zhì)的濃度的上限值以下的所述i層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其中，

在所述拉曼比處于3.5至4.5的范圍內(nèi)時，所述雜質(zhì)的濃度的上限值為5×10¹⁸cm^-3，

在所述拉曼比處于4.5至5.5的范圍內(nèi)時，所述雜質(zhì)的濃度的上限值為2×10¹⁸cm^-3，

在所述拉曼比處于5.5至6.5的范圍內(nèi)時，所述雜質(zhì)的濃度的上限值為8×10¹⁷cm^-3，

在所述拉曼比處于6.5至7.5的范圍內(nèi)時，所述雜質(zhì)的濃度的上限值為7×10¹⁷cm^-3，

在所述拉曼比為7.5以上時，所述雜質(zhì)的濃度的上限值為7×10¹⁷cm^-3。

3.一種光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，包含在基板上形成光電轉(zhuǎn)換層的工序，該光電轉(zhuǎn)換層具備以結(jié)晶硅為主的i層，其中，

根據(jù)所述i層的拉曼比來決定成膜氣氛中的雜質(zhì)氣體的濃度的上限值，

以成為該決定的上限值以下的方式控制所述雜質(zhì)氣體的濃度來制成所述i層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其中，

在所述拉曼比處于3.5至4.5的范圍內(nèi)時，所述雜質(zhì)氣體的濃度的上限值為10ppm，

在所述拉曼比處于4.5至5.5的范圍內(nèi)時，所述雜質(zhì)氣體的濃度的上限值為8ppm，

在所述拉曼比處于5.5至6.5的范圍內(nèi)時，所述雜質(zhì)氣體的濃度的上限值為2ppm，

在所述拉曼比處于6.5至7.5的范圍內(nèi)時，所述雜質(zhì)氣體的濃度的上限值為1.5ppm，

在所述拉曼比為7.5以上時，所述雜質(zhì)氣體的濃度的上限值為2ppm。