[發明專利]發光二極管芯片

無效

• 申請號: 201080034082.1
• 申請日: 2010-07-13
• 公開（公告）號: CN102473797A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: M.莫特;T.阿爾布雷希特;A.卡斯普爾扎克-扎布洛卡
• 申請（專利權）人: 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/20;H01L33/44
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 杜荔南;李家麟

1.發光二極管芯片（100），包括：

-?半導體本體（1），其具有第一區域（1A）和第二區域（1B）；

-?半導體本體（1）內的活性區（2），所述活性區在發光二極管芯片（100）運行時通過輻射輸出耦合面（11）發射電磁輻射，所述輻射輸出耦合面至少局部地由半導體本體（1）的第一主面（111）形成；

-?半導體本體（1）中的至少一個槽（3），其中在所述槽的區域中去除半導體本體（1）的部分，其中

-?所述至少一個槽（3）至少到達直至活性區（2），

-?所述至少一個槽（3）在橫向方向上完全包圍第一區域（1A），并且

-?第二區域（1B）在橫向方向上完全包圍所述至少一個槽（3）和第一區域（1A）。

2.根據前述權利要求之一的發光二極管芯片（100），

其中半導體本體（1）的與發光二極管芯片（100）的第一主面（111）相對的面配備有反射層（4）。

3.根據前述權利要求之一的發光二極管芯片（100），

其中所述發光二極管芯片（100）包括載體元件（5）并且所述反射層（4）設置在載體元件（5）與半導體本體（1）之間，其中半導體本體（1）借助于粘接材料（10）固定在載體元件（5）處。

4.根據前述權利要求之一的發光二極管芯片（100），

其中所述粘接材料（10）在其背向載體元件（5）的側處完全由半導體本體（1）和/或鈍化層（7）覆蓋。

5.根據權利要求4的發光二極管芯片（100），

其中所述粘接材料（10）只在所述至少一個槽（3）的區域中不被半導體本體（1）覆蓋。

6.根據前述權利要求之一的發光二極管芯片（100），

其中半導體本體（1）的第一區域（1A）在從載體元件（5）出發朝向半導體本體（1）的第一主面（111）的方向上逐漸變細。

7.根據前述權利要求之一的發光二極管芯片（100），

其中所述第一區域（1A）和第二區域（1B）的厚度在垂直于第一主面（111）的方向上基本上大小相等。

8.根據前述權利要求之一的發光二極管芯片（100），

其中所述至少一個槽（3）的所有側面（31）和底面（32）完全由鈍化層（7）覆蓋。

9.根據權利要求8的發光二極管芯片（100），

其中所述輻射輸出耦合面（11）在半導體本體（1）的至少一個槽（3）和/或第二區域（1B）的區域中配備有金屬化層（12），所述金屬化層被施加到鈍化層（7）上。

10.根據權利要求2至9之一的發光二極管芯片（100），

其中所述至少一個槽（3）穿過反射層（4）延伸。

11.根據權利要求4至10之一的發光二極管芯片（100），

其中所述粘接材料（10）在發光二極管芯片（100）的從反射層（4）去除的區域（41）中與鈍化層（7）直接接觸。

12.用于制造發光二極管芯片（100）的方法，具有如下步驟：

-?提供載體元件（5）的載體復合體（500）；

-?提供半導體本體（1）的半導體復合體（13）；

-?借助于粘接材料（5）將載體復合體（500）和半導體復合體（13）連接成一個復合體（101）；

-?將至少一個槽（3）引入到每個半導體本體（1）中，其中在槽（3）的區域中去除半導體本體（1）的部分并且所述槽（3）將半導體本體（1）劃分成第一區域（1A）和第二區域（1B）；

-?沿著分割線(1000)在第一區域(1A)和穿過復合體(101)的槽(3)之外將由載體復合體（500）和半導體復合體（13）構成的復合體(101)分隔成至少一個發光二極管芯片（100）。

13.根據權利要求12的方法，其中制造根據權利要求1至11之一的發光二極管芯片（100）。