[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201080034016.4
• 申請日: 2010-06-28
• 公開（公告）號: CN102473705A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: 齊藤順;青井佐智子;杉山隆英
• 申請（專利權）人: 豐田自動車株式會社
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L21/336;H01L21/76;H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/739;H01L29/78
• 代理公司: 北京金信立方知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 黃威;孫麗梅

1.一種半導體裝置，其中，

具備形成有二極管區和絕緣柵雙極性晶體管區的半導體層，

所述二極管區具有被形成在所述半導體層的表層部上的p型的陽極區、和被形成在所述半導體層的底層部上的n型的陰極區，

所述絕緣柵雙極性晶體管區具有被形成在所述半導體層的表層部上的p型的體區、和被形成在所述半導體層的底層部上的p型的集電區，

在所述半導體層內，形成有在所述半導體層的水平方向上連續延伸的壽命控制區，

所述壽命控制區具有在俯視觀察時位于所述二極管區中的第一壽命控制區、和位于所述絕緣柵雙極性晶體管區的一部分中的第二壽命控制區，

所述第二壽命控制區從所述二極管區和所述絕緣柵雙極性晶體管區的邊界起朝向所述絕緣柵雙極性晶體管區內延伸，

在俯視觀察時，所述第二壽命控制區的前端位于所述絕緣柵雙極性晶體管區中的所述體區的形成范圍內。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第二壽命控制區的前端位于在所述水平方向上距所述邊界60μm以上的范圍內。

3.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

形成有貫穿所述體區而設置的多個溝槽柵，

在俯視觀察時，所述第二壽命控制區的前端位于超過了被設置在最靠近二極管區側的所述溝槽柵的范圍內。

4.如權利要求1至3中的任意一項所述的半導體裝置，其中，

所述第二壽命控制區的前端位于在所述水平方向上距所述邊界500μm以下的范圍內。