[發明專利]用于回收和再利用減量流出物的過程減量的設備和方法無效
| 申請號: | 201080033998.5 | 申請日: | 2010-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN102473595A | 公開(公告)日: | 2012-05-23 |
| 發明(設計)人: | 安德烈亞斯·紐伯;菲爾·錢德勒;克利福德·C·斯托;丹尼爾·O·克拉克;邁克·科菲爾 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 回收 再利用 流出物 過程 設備 方法 | ||
技術領域
本發明的實施例一般地涉及用于處理襯底的設備。
背景技術
在半導體、平面面板、光伏、納米制造(nanomanufacturing)、有機發光二極管(OLED)以及其它硅或薄膜處理系統中,需要在使用一段時間后清潔系統的構件。例如,構件可包括處理腔室、排放導管,或在使用期間可能沉積處理氣體或處理材料的任何構件。可使用例如含氟氣體和/或由含氟氣體(例如NF3或氟(F2))所產生的等離子體來清潔系統構件(例如,處理腔室和排放導管)。等離子體的反應性氟物種可包括單原子氟(F)或氟自由基。可使用氟產生器在原位或本地產生含氟氣體。典型地,使用氟產生器可著眼于使用氟化氫(HF)作為氟源,由氟源產生氟(F2)。一旦含氟氣體和/或氟反應性物種進行從例如處理腔室移除污染物等時,則從該處理腔室排出含氟氣體和/或由此反應所形成的副產物(例如四氟化硅(SiF4))。不幸地,這些排放流出物通常有毒性、有腐蝕性、或存在全球變暖潛勢,而需要進一步處理和/或清除。此外,用于對氟產生器供給燃料的HF也有毒性,且在例如氟產生器的再補給燃料(re-fueling)期間需要適當操作。
發明內容
本文提供用于回收氟化氫(HF)的方法和設備。在一些實施例中,設備包括用于處理襯底的系統,該系統包括用于處理襯底的處理腔室;氟產生器,其耦接至處理腔室,以提供氟(F2)至處理腔室;減量系統,其耦接至處理腔室,以將從處理腔室排放的含氟流出物減量、并將含氟流出物的至少一部分轉化為氟化氫(HF);HF回收系統,其構造成對由減量系統所產生的HF進行收集、純化和濃縮當中的至少一項;和導管,其用于將回收的氟化氫(HF)提供至耦接至導管的氟產生器或第二處理系統當中的至少一個。
在一些實施例中,用于回收氟化氫(HF)的方法包括下列步驟:使用氟產生器產生氟(F2);導引氟進入處理腔室;在處理腔室中所進行的處理中利用由氟(F2)形成的反應性氟物種;在耦接至處理腔室的減量系統中,將含氟流出物轉化為氟化氫(HF)和副產物物種;在耦接至減量系統的HF回收系統中,通過從副產物物種分離HF來回收HF;并且將回收的HF提供至氟產生器,以對氟(F2)的產生供給燃料。在一些實施例中,該方法還包括將回收的HF提供至第二處理腔室。在一些實施例中,處理腔室中進行的處理是清潔處理。在一些實施例中,處理腔室中進行的處理是蝕刻處理。在一些實施例中,該方法還包括提供反應性氟物種、以對耦接至處理腔室的排放導管進行清潔。以下描述本發明的其它和進一步的實施例。
附圖說明
通過參照附圖中所描繪的本發明的示例性實施例,可理解以上簡要總結并且以下更詳細論述的本發明的實施例。然而,需注意的是,附圖僅繪示本發明的典型實施例,因此不應被認為是對本發明的范圍的限制,因為本發明容許有其它等效實施例。
圖1描繪根據本發明的一些實施例的處理系統的示意圖。
圖1A描繪根據本發明的一些實施例的圖1的處理系統的變化形式。
圖2描繪根據本發明的一些實施例的圖1的處理系統的減量系統和HF回收系統的詳圖。
圖3描繪根據本發明的一些實施例的回收HF的方法的流程圖。
為便于理解,盡可能使用相同的附圖標記來標示圖中通用的相同組件。附圖并非依比例繪制,且可為了清楚表示而簡化。須考慮到的是,一個實施例的組件和特征可有益地并入其它實施例而毋須進一步詳述。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





