[發明專利]用于高分辨率焦平面兆兆赫茲成像陣列的微型相校正天線

無效

• 申請號: 201080033321.1
• 申請日: 2010-05-28
• 公開（公告）號: CN102460707A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: H.L.莫斯巴克;G.芒庫;K.瑟特爾;P.史密斯
• 申請（專利權）人: 俄亥俄州立大學
• 主分類號: H01L29/51
• 分類號: H01L29/51
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 周少杰

1.一種反向二極管陣列，反向二極管的陰極層與非均勻摻雜剖面的第一側相鄰，并且其銻化物基隧道勢壘層與間隔層的第二側相鄰，使單片集成的天線結合到每個所述反向二極管。

2.如權利要求1所述的反向二極管陣列，其中所述天線是寬帶或者單帶的一個或多個。

3.如權利要求1所述的反向二極管陣列，其中從中切掉多個較小的陣列。

4.如權利要求1所述的反向二極管陣列，其中銻化物基隧道勢壘被摻雜。

5.如權利要求1所述的反向二極管陣列，其中非均勻的摻雜剖面還包括δ摻雜剖面。

6.如權利要求1所述的反向二極管陣列，其中所述天線是以下中的一個或多個：蝶形天線配置、平面對數周期天線配置、具有微帶饋入的雙隙縫天線配置、螺形天線配置、螺旋狀天線配置、環形天線配置、電介質棒天線配置、或者具有共面波導饋入天線的雙隙縫天線配置。

7.如權利要求6所述的反向二極管的陣列，其中所述天線包括所述具有微帶饋入的雙隙縫天線配置。

8.一種成像/檢測裝置，包括：

反向二極管的2D焦平面陣列，反向二極管的陰極層與非均勻摻雜剖面的第一側相鄰，并且其銻化物基隧道勢壘層與間隔層的第二側相鄰，使單片集成的天線結合到每個所述反向二極管，該陣列位于延伸的半球形透鏡的背面。

9.如權利要求8所述的成像/檢測裝置，其中傾斜某些所述陣列用于校正光學像差。

10.如權利要求8所述的反向二極管陣列，其中所述天線是寬帶或者單帶的一個或者多個。

11.如權利要求8所述的反向二極管陣列，其中銻化物基隧道勢壘被摻雜。

12.如權利要求8所述的反向二極管陣列，其中非均勻的摻雜剖面還包括δ摻雜剖面。

13.如權利要求8所述的反向二極管陣列，其中所述天線是以下中的一個或多個：蝶形天線配置、平面對數周期天線配置、具有微帶饋入的雙隙縫天線配置、螺形天線配置、螺旋狀天線配置、環形天線配置、電介質棒天線配置、或者具有共面波導饋入天線的雙隙縫天線配置。

14.如權利要求13所述的反向二極管的陣列，其中所述天線包括所述具有微帶饋入的雙隙縫天線配置。

15.一種成像/檢測裝置，包括：

反向二極管的2D焦平面陣列，其中每個反向二極管單片地結合到天線，該陣列位于延伸的半球形透鏡的背面，并且其中傾斜某些所述陣列用于校正光學像差。

16.如權利要求15所述的反向二極管陣列，其中所述天線是寬帶或者單帶的一個或者多個。

17.如權利要求15所述的反向二極管陣列，其中銻化物基隧道勢壘被摻雜。

18.如權利要求15所述的反向二極管陣列，其中非均勻的摻雜剖面還包括δ摻雜剖面。

19.如權利要求15所述的反向二極管陣列，其中所述天線是以下中的一個或多個：蝶形天線配置、平面對數周期天線配置、具有微帶饋入的雙隙縫天線配置、螺形天線配置、螺旋狀天線配置、環形天線配置、電介質棒天線配置，或者具有共面波導饋入天線的雙隙縫天線配置。

20.如權利要求19所述的反向二極管的陣列，其中所述天線包括所述具有微帶饋入的雙隙縫天線配置。