[發(fā)明專利]用于在存儲器裝置中提供可配置等待時間及/或密度的系統(tǒng)及方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080032893.8
• 申請日: 2010-06-17
• 公開（公告）號: CN102473150A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 托德·D·法雷爾;克里斯托弗·S·約翰遜
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: G06F13/16
• 分類號: G06F13/16;G11C7/10
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實施例一般來說涉及存儲器裝置領(lǐng)域。更特定來說，本發(fā)明的實施例可提供一種或一種以上用于減小存儲器裝置中的等待時間的技術(shù)。

背景技術(shù)

電子裝置通常利用一個或一個以上存儲器裝置(例如動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM))來存儲可由電子裝置使用的數(shù)據(jù)。舉例來說，所存儲數(shù)據(jù)可表示應(yīng)用程序、媒體、操作系統(tǒng)或可由電子裝置使用的任一其它類型的合適數(shù)據(jù)。通常，存儲器裝置(例如同步DRAM(SDRAM))包括被劃分成多個存儲器庫或其它劃分的存儲器陣列。基于在操作期間由存儲器裝置接收的尋址信息，可將數(shù)據(jù)存儲到存儲器陣列的適當庫中及從存儲器陣列的適當庫讀出數(shù)據(jù)。

可借以從存儲器陣列讀取數(shù)據(jù)的速率通常受限于存儲器陣列的行循環(huán)等待時間(tRC)，其可定義為在向存儲器陣列的同一物理庫發(fā)出連續(xù)活動(ACTIVE)命令之間必須過去的最小時間間隔。通過舉例的方式，在DDR2?SDRAM裝置中，典型tRC可為大約55ns。如將了解，因tRC限制，因此對同一物理庫的隨機讀取請求在可執(zhí)行后續(xù)讀取之前必須等待tRC過去。因此，在其中需要以高速及低循環(huán)時間發(fā)出用于從存儲器裝置讀取特定數(shù)據(jù)段的重復(fù)隨機讀取請求的應(yīng)用中，可期望減小存儲器裝置的有效tRC。

用于解決常規(guī)DRAM存儲器裝置的等待時間缺點的一些常規(guī)解決方案包括提供低等待時間靜態(tài)RAM(SRAM)裝置或減小等待時間DRAM(RLDRAM)裝置來代替常規(guī)SDRAM裝置。盡管此些裝置能夠提供更低tRC，但此些裝置在成本上通常也實質(zhì)高于SDRAM裝置。另外，SRAM及RLDRAM裝置通常也具有比提供類似存儲容量的SDRAM裝置高的電力消耗要求。

用于減小tRC的另一常規(guī)技術(shù)包括將所請求讀取數(shù)據(jù)的副本提供到多個DRAM裝置中的每一者并在所述多個DRAM裝置之間交錯讀取請求。然而，此技術(shù)不僅需要提供多個DRAM裝置，而且還可需要單獨的控制電路來管理在所述多個裝置之間對讀取請求的交錯，因此不利地增加相對于使用單個存儲器裝置所需的成本、總線轉(zhuǎn)向時間及組件空間量。

因此，本發(fā)明的實施例可針對上文所列舉的問題中的一者或一者以上。

發(fā)明內(nèi)容

附圖說明

圖1是簡化框圖，其圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實施例可并入有可配置密度及等待時間特征的存儲器裝置的實例；

圖2是簡化框圖，其展示可用于圖1的存儲器裝置中的存儲器陣列的布局且描繪根據(jù)本發(fā)明的實施例當在全密度配置中操作時用于向所述存儲器陣列寫入數(shù)據(jù)段的寫入操作；

圖3是時序圖，其描繪根據(jù)本發(fā)明的實施例當在圖2中所圖解說明的全密度配置中操作時用于從所述存儲器陣列讀取所述數(shù)據(jù)段的讀取操作；

圖4是簡化框圖，其描繪根據(jù)本發(fā)明的實施例當在二分之一密度配置中操作時用于向所述存儲器陣列寫入數(shù)據(jù)段的寫入操作；

圖5是時序圖，其描繪根據(jù)本發(fā)明的實施例當在圖4中所圖解說明的二分之一密度配置中操作時用于從所述存儲器陣列讀取所述數(shù)據(jù)段的讀取操作；

圖6是簡化框圖，其描繪根據(jù)本發(fā)明的實施例當在四分之一密度配置中操作時用于向所述存儲器陣列寫入數(shù)據(jù)段的寫入操作；

圖7是時序圖，其描繪根據(jù)本發(fā)明的實施例當在圖6中所圖解說明的四分之一密度配置中操作時用于從所述存儲器陣列讀取所述數(shù)據(jù)段的讀取操作；

圖8是簡化框圖，其展示可用于圖1的存儲器裝置的存儲器陣列的替代布局；

圖9是簡化框圖，其描繪根據(jù)本發(fā)明的另一實施例當在四分之一密度配置中操作時用于向圖8中所展示的存儲器陣列寫入第一及第二數(shù)據(jù)段的寫入操作；

圖10是時序圖，其描繪根據(jù)本發(fā)明的另一實施例當在圖9中所圖解說明的四分之一密度配置中操作時用于從所述存儲器陣列讀取第一數(shù)據(jù)段的讀取操作；

圖11是時序圖，其描繪根據(jù)本發(fā)明的另一實施例當在圖9中所圖解說明的四分之一密度配置中操作時用于從所述存儲器陣列讀取第一及第二數(shù)據(jù)段的讀取操作；

圖12是流程圖，其描繪根據(jù)本發(fā)明的實施例用于向存儲器裝置寫入數(shù)據(jù)段的方法；及

圖13是流程圖，其描繪根據(jù)本發(fā)明的實施例用于從存儲器裝置讀取數(shù)據(jù)的方法。

具體實施方式