[發明專利]抑制沉積物在制造系統中的形成的方法

無效

• 申請號: 201080031781.0
• 申請日: 2010-07-14
• 公開（公告）號: CN102471883A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: M·德蒂亞;詹森·賈爾迪納;杰米·范德霍夫爾;邁克爾·豪姆斯特;邁克爾·約翰·莫爾納;羅伯特·E·斯特拉頓;斯蒂芬·帕夫利克夫斯基
• 申請（專利權）人: 赫姆洛克半導體公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/458;C23C16/52;F25B43/00;F25B47/00;C23C16/24
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 武晶晶;鄭霞

1.一種抑制沉積物在電極的冷卻表面上的形成的方法，所述電極在用于將材料沉積在載體主體上的制造系統中使用，其中所述冷卻表面包含銅，并且其中所述制造系統包括至少一個界定室的反應器、與所述電極流體連通的用于向所述冷卻表面和從所述冷卻表面運輸冷卻劑組合物的循環系統以及與所述循環系統流體連通的過濾系統，其中所述電極被至少部分地布置在所述室內以在所述室內支持所述載體主體，其中所述冷卻劑組合物包含冷卻劑和來自所述電極的所述冷卻表面的溶解銅，所述方法包括以下步驟：

加熱支持所述載體主體的所述電極；

使所述電極的所述冷卻表面與所述冷卻劑組合物接觸；

將所述材料沉積在被所述電極支持的所述載體主體上；以及

使用所述過濾系統過濾所述冷卻劑組合物以從其過濾所述溶解銅的至少一部分。

2.根據權利要求1所述的方法，其中將所述材料沉積在所述載體主體上的步驟被進一步限定為將硅沉積在所述載體主體上。

3.根據權利要求2所述的方法，其中將硅沉積在所述載體主體上的步驟導致多晶硅在所述載體主體上的形成。

4.根據權利要求1所述的方法，其中過濾所述冷卻劑組合物的步驟被進一步限定為使所述冷卻劑組合物以小于約20GPM經過所述過濾系統。

5.根據權利要求1所述的方法，其中在所述冷卻劑組合物中存在的所述溶解銅的平均濃度小于約100ppb。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述過濾系統被進一步限定為陽離子濾床過濾器，并且過濾所述冷卻劑組合物的步驟被進一步限定為使所述冷卻劑組合物的至少一部分經過所述陽離子濾床過濾器。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述過濾系統被進一步限定為反滲透處理器，并且過濾所述冷卻劑組合物的步驟被進一步限定為使所述冷卻劑組合物的至少一部分經過所述反滲透處理器。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括保持所述冷卻劑組合物的約7.0至9.5的pH的步驟。

9.根據權利要求1所述的方法，還包括將所述冷卻劑組合物的電導率保持為小于約80微西門子的步驟。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述電極還包括頭部和桿狀物，所述頭部和所述桿狀物每個具有使所述頭部的直徑大于所述桿狀物的直徑的直徑，并且所述電極的所述冷卻表面界定通道，所述通道在所述電極內延伸小于所述電極的長度L的距離D，并且使所述電極的所述冷卻表面與所述冷卻劑組合物接觸的步驟被進一步限定為將所述冷卻劑組合物在所述通道內循環。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述冷卻劑是去離子水。

12.根據權利要求1所述的方法，其中所述冷卻劑組合物還包含溶解氣體，并且所述方法還包括使用除氣器從所述冷卻劑組合物除去所述溶解氣體的至少一部分的步驟。

13.根據權利要求1所述的方法，還包括將腐蝕抑制劑加入所述冷卻劑組合物中以防止所述冷卻表面的降解的步驟。

14.根據權利要求1所述的方法，還包括將螯合劑加入所述冷卻劑組合物中用于與所述溶解銅反應以防止銅氧化物在所述冷卻劑組合物中的形成的步驟。

15.一種用于將材料沉積在載體主體上的制造系統，所述系統包括：

至少一個界定室的反應器；

至少一個電極，其被至少部分地布置在所述室內用于在所述室內支持所述載體主體，所述電極具有包含銅的冷卻表面；

冷卻劑組合物，其包含冷卻劑和溶解銅，所述冷卻劑組合物接觸所述電極的所述冷卻表面以消散在所述電極中產生的熱，由此防止所述電極達到沉積溫度；

循環系統，其被耦合于所述電極并且容納所述冷卻劑組合物以向所述冷卻表面和從所述冷卻表面運輸所述冷卻劑組合物；以及

過濾系統，其與所述循環系統流體連通，用于從所述冷卻劑組合物除去所述溶解銅的至少一部分。

16.根據權利要求15所述的系統，其中在所述冷卻劑組合物中存在的所述溶解銅的平均濃度小于約100ppm。