[發明專利]制造用于多色OLED的發射層

無效

• 申請號: 201080031738.4
• 申請日: 2010-07-14
• 公開（公告）號: CN102470395A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: D·Y·康達寇夫
• 申請（專利權）人: 全球OLED科技有限責任公司
• 主分類號: B05D5/06
• 分類號: B05D5/06
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 丁香蘭;龐東成

技術領域

本發明涉及制造多色有機發光器件(OLED)的方法，更具體而言，涉及在RGB像素化的OLED器件中提供下述發光層的方法，所述發光層的發射特征可以通過使第二發射材料從無發射層擴散至與該發光層接觸來改變。

背景技術

有機發光器件，也稱作有機電致發光(EL)器件或有機內部結發光器件，包含由有機發光結構體(也稱作有機EL介質)隔開的間隔電極，該有機發光結構體響應于電極之間施加的電勢差而發光。所述電極中的至少一個為透光的，而且有機發光結構體可以具有多層有機薄膜，這些有機薄膜分別提供了從陽極開始的空穴注入和傳輸，以及從陰極開始的電子注入和傳輸，而發光產生自空穴傳輸薄膜與電子傳輸薄膜之間界面形成的內部結處的電子-空穴復合。本文中使用的術語“薄膜”是指層厚小于1微米，且常見的是層厚小于約0.5微米。共同轉讓的美國專利第4,345,429號、第4,539,507號、第4,720,432號和第4,769,292號提供了由薄膜沉積技術形成的含有有機發光結構體和陰極構造的有機發光器件的實例。

在有機發光器件的運行中，發出的光的光譜分布(以光譜輻射強度測量)與器件構造中使用的有機薄膜的電致發光性質有關。例如，如果有機發光結構體包括含有能夠維持空穴-電子復合的單一發光材料的層，那么發出的光將產生于該材料的特征光發射。然而，加入少量能夠響應于空穴-電子復合釋放的能量而發光的熒光材料將修飾發光的顏色，并可以改善有機發光器件的運行穩定性。與半導體工業中使用的術語類似，在發光有機主體材料中以相對較低的濃度均勻分散的熒光發射材料稱為“摻雜物”或“發光體”。

如通常實施的，發光器件的有機薄膜通過在使用了沉積速率控制的真空系統中以連續的沉積步驟氣相沉積(蒸發或升華)形成。當熒光摻雜物均勻包含在有機發光層中時，發光主體材料和熒光摻雜物材料從兩個獨立控制的沉積源進行共沉積。當有機發光層的主體材料中所需的摻雜物濃度處于或接近10^-3摩爾％～10摩爾％的摻雜物濃度范圍的下限時，需要控制熒光摻雜物和主體材料的各自的沉積速率。在有機發光主體材料和熒光摻雜物材料的氣相沉積方法中難以可靠地控制沉積速率一直是可重復制造含有一種或多種熒光摻雜物的有機電致發光器件的工藝的障礙。不過，已知有摻雜發射層的替代性方法。

美國專利第6,641,859號公開了一種制造EL器件中的發射層的方法，所述方法通過利用熱量使摻雜物從含有摻雜物的層擴散到隔開的摻雜物接收層，并由此形成發射層。含有摻雜物的層和摻雜物接收層可以由空穴傳輸層或電子傳輸層隔開。在該方法中，摻雜物接收層直到熱處理后才具有發射性。

美國專利申請公報第20060231830號描述了一種顯示裝置，該顯示裝置具有排列在基板上的多個有機電致發光器件，各個器件依次包括：下電極、至少含有發光層的有機層和上電極，至少部分有機電致發光器件的發光層具有由氣相沉積形成的第一發光層和由熱轉移形成的第二發光層，并且第一發光層發出波長小于或等于藍光波長的光。熱轉移在制造過程中發生。例如，綠色或紅色熒光染料可以熱轉移至藍色發光層，以提供綠色或紅色發射器件。

美國專利第5,895,692號描述了一種用于制造有機電致發光器件的制造工藝，其包括依次形成空穴傳輸層、形成用于電子和傳輸層的空穴的復合區域層和將熒光顏料(R、G或B)施加至該復合區域層的上表面的步驟。隨后，加熱熒光顏料以使其擴散到復合層中，使得熒光顏料和復合層構成發光層。在復合層上設置電子傳輸層。

WO9953529描述了涉及使像素圖案化的方法，其中可以通過擴散將摻雜物引入發射層中。熒光摻雜物以溶液引入，或從染色層中引入。

美國專利申請公報第20030030370號描述了一種OLED元件，該元件由藍色(B)發射層、綠色(G)發射層和紅色(R)發射層作為一組像素構成，該有機電致發光元件的特征還在于，B發射層含有B發射材料，G發射層含有B和G發射材料，且R發射層含有B、G和R發射材料。公開了一種有機電致發光元件的制造方法，所述方法包括以下步驟：形成由多個隔板分隔并以矩陣狀設置在基板上的第一電極；通過擴散藍色(B)發射材料而在第一電極上形成B發射層；在一部分B發射層中擴散綠色(G)發射材料之后獲得與B發射層相鄰的G發射層；在一部分G發射層中擴散紅色(R)發射材料之后獲得與G發射層相鄰的R發射層；并且在各個R發射層、G發射層和B發射層上形成第二電極。該過程在器件制造期間而非制造后進行。