[發明專利]帶有靠近寫入極的傳感器的換能器設計

有效

• 申請號: 201080031207.5
• 申請日: 2010-05-28
• 公開（公告）號: CN102804265B
• 公開（公告）日: 2016-10-12
• 發明（設計）人: 陳永華;高凱中
• 申請（專利權）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: G11B5/012
• 分類號: G11B5/012;G11B5/02;G11B5/31;G11B5/596;G11B20/10;G11B27/30
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 李小芳

1.一種用于向磁介質寫入信息以及從磁介質讀取信息的磁設備，其中所述磁介質包括多個分離的磁比特，所述磁設備包括：

讀取傳感器；

寫入器，所述寫入器包括寫入元件、磁耦合至所述寫入元件的第一返回元件、以及磁耦合至所述寫入元件的第二返回元件，其中所述寫入元件位于所述第一和第二返回元件之間；以及

同步傳感器，其定位成在緊密間隔安排中毗鄰所述寫入器的所述寫入元件，所述同步傳感器被配置成根據所感測的磁比特來生成信號，其中所述信號用于相對于所感測的磁比特來定位所述寫入元件。

2.如權利要求1所述的設備，其特征在于，所述同步傳感器位于所述第一和第二返回元件之間。

3.如權利要求1所述的設備，其特征在于，進一步包括：

從所述第一返回元件延伸出的屏蔽，其中所述同步傳感器位于所述屏蔽的第一部分與第二部分之間。

4.如權利要求3所述的設備，其特征在于，所述屏蔽基本上圍繞所述同步傳感器的五個側面。

5.如權利要求1所述的設備，其特征在于，進一步包括：

從所述第二返回元件延伸出的屏蔽，其中所述同步傳感器位于所述屏蔽的第一部分與第二部分之間。

6.如權利要求1所述的設備，其特征在于，進一步包括：

位于所述同步傳感器的任一側的一對同步傳感器屏蔽。

7.如權利要求6所述的設備，其特征在于，進一步包括：

從所述第一返回元件延伸出的第一屏蔽；以及

從所述第二返回元件延伸出的第二屏蔽。

8.如權利要求1所述的設備，其特征在于，所述同步傳感器包括磁阻傳感器。

9.如權利要求1所述的設備，其特征在于，所述同步傳感器包括霍爾效應傳感器。

10.如權利要求1所述的設備，其特征在于，所述寫入元件在跨磁道方向上與所述同步傳感器基本對準。

11.如權利要求10所述的設備，其特征在于，所述讀取傳感器在跨磁道方向上與所述同步傳感器基本對準。

12.一種用于向磁介質寫入信息以及從磁介質讀取信息的磁設備，其中所述磁介質包括多個分離的磁比特，所述磁設備包括：

讀取傳感器；

寫入器，所述寫入器包括寫入元件、磁耦合至所述寫入元件的返回元件、以及從所述返回元件朝所述寫入元件延伸的屏蔽；以及

同步傳感器，其設置在所述屏蔽中且被配置成根據所感測的磁比特來生成信號，其中所述信號用于相對于所感測的磁比特來定位所述寫入元件。

13.如權利要求12所述的設備，其特征在于，進一步包括：

附加返回元件，其中所述寫入元件定位在各個所述返回元件之間。

14.如權利要求13所述的設備，其特征在于，進一步包括：

從所述附加返回元件延伸出的附加屏蔽。

15.如權利要求12所述的設備，其特征在于，所述屏蔽基本上圍繞所述同步傳感器的五個側面。

16.如權利要求12所述的設備，其特征在于，所述同步傳感器的類型選自包括磁阻傳感器、霍爾效應傳感器、以及反常霍爾效應傳感器的組。

17.如權利要求12所述的設備，其特征在于，所述寫入元件在跨磁道方向上與所述同步傳感器基本對準。

18.如權利要求17所述的設備，其特征在于，所述讀取傳感器在跨磁道方向上與所述同步傳感器基本對準。