[發(fā)明專利]有改進(jìn)光學(xué)特征的染料敏化太陽能電池

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080030675.0
• 申請日: 2010-07-08
• 公開（公告）號: CN102473531A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: H·林德斯特羅姆
• 申請（專利權(quán)）人: NLAB太陽能股份公司
• 主分類號: H01G9/20
• 分類號: H01G9/20
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 蔣世迅

1.一種染料敏化太陽能電池DSC，包括被淀積在基底表面頂部的多孔1D光子晶體P1DPC層，特征在于，該P1DPC層是由P1DPC結(jié)構(gòu)性質(zhì)的非均勻空間分布形成的P1DPC結(jié)構(gòu)。

2.按照權(quán)利要求1的DSC，特征在于，該P1DPC結(jié)構(gòu)是由基底表面上P1DPC淀積物的非均勻分布形成的。

3.按照權(quán)利要求2的DSC，特征在于，該P1DPC淀積物包括有不同光學(xué)響應(yīng)的P1DPC。

4.按照權(quán)利要求3的DSC，特征在于，該不同的光學(xué)響應(yīng)的形成是通過改變一個或多個P1DPC參數(shù)，諸如構(gòu)成P1DPC的單獨納米粒子層的數(shù)量或納米粒子層的多孔性、納米粒子層厚度或納米粒子層材料、或P1DPC的交替的單獨層之間折射率的差異。

5.按照權(quán)利要求2、3或4的DSC，特征在于，附加的P1DPC淀積物可以被置于一層或多層P1DPC淀積物頂部。

6.按照權(quán)利要求2-5中任一項的DSC，特征在于，該P1DPC淀積物和可能的附加P1DPC淀積物都被埋藏在納米粒子的基質(zhì)中。

7.按照權(quán)利要求6的DSC，特征在于，大的非多孔光散射粒子的附加層，被置于被埋藏的P1DPC淀積物的頂部。

8.按照權(quán)利要求1-7中任一項的DSC，特征在于，至少一部分基底表面是非平面的。

9.按照權(quán)利要求1-8中任一項的DSC，特征在于，該基底包括透明的導(dǎo)電氧化物。

10.按照權(quán)利要求1-9中任一項的DSC，特征在于，該基底包括多孔的TiO₂、多孔的ZnO、多孔的Nb₂O₅或多孔的SnO₂電極層。

11.按照權(quán)利要求10的DSC，特征在于，該基底包括多孔的TiO₂電極層。

12.按照權(quán)利要求10的DSC，特征在于，大的非多孔光散射粒子的附加層，被置于P1DPC淀積物和可能的附P1DPC淀積物的頂部。

13.一種用于產(chǎn)生按照權(quán)利要求8的包括P1DPC淀積物的DSC的方法，該方法的特征在于，用有選擇地施加壓力的工具使該基底表面和P1DPC淀積物變形。

14.一種用于產(chǎn)生按照權(quán)利要求8的包括P1DPC淀積物的DSC的方法，該方法的特征在于，該P1DPC淀積物被淀積在預(yù)形成的非平面基底上。

15.一種導(dǎo)電基底，包括在基底表面上的不同光學(xué)響應(yīng)的點，特征在于，這些點是由P1DPC淀積物形成的。

16.一種導(dǎo)電基底，具有部分非平面表面，特征在于，P1DPC淀積物層覆蓋該導(dǎo)電基底，從而有平面表面結(jié)構(gòu)區(qū)和非平面表面結(jié)構(gòu)區(qū)二者，并在平面表面區(qū)上看似如鏡面一般的或光滑的，而在非平面表面區(qū)上看似如黑的或無光澤的。

17.一種導(dǎo)電基底，特征在于，該基底包括：P1DPC結(jié)構(gòu)且是安全標(biāo)記，用于化學(xué)品的光學(xué)傳感器，或美學(xué)表面的一部分。