[發明專利]用于與LED結合使用的重發光半導體載流子器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201080030361.0
• 申請日: 2010-05-03
• 公開（公告）號: CN102804422A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 特里·L·史密斯;凱瑟琳·A·萊瑟達勒;邁克爾·A·哈斯;托馬斯·J·米勒;孫曉光;楊朝暉;托德·A·巴倫;埃米·S·巴爾內斯
• 申請（專利權）人: 3M創新有限公司
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 梁曉廣;關兆輝

1.一種制備重發射半導體構造(RSC)的方法，所述重發射半導體構造與發射第一波長λ₁的光的電致發光器件結合使用，所述方法包括：

提供半導體基底，所述半導體基底上具有半導體層疊件，所述半導體層疊件具有有源區，所述有源區適于將所述第一波長λ₁的光轉換成第二波長λ₂的可見光，所述有源區包括至少第一勢阱；

將載體窗口附接到所述半導體層疊件，使得所述半導體層疊件設置在所述基底和所述載體窗口之間，所述載體窗口透射至少所述第二波長λ₂；以及

在所述附接步驟之后，移除所述基底，從而得到RSC載體器件，所述RSC載體器件包括所述載體窗口和所述半導體層疊件。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述提供步驟包括：

提供所述半導體基底；以及

在所述半導體基底上形成所述半導體層疊件。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述載體窗口具有的厚度和材料特性足以允許在基本無斷裂的情況下來處理所述載體窗口。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述載體窗口為足夠剛性的，以允許在對所述半導體層疊件基本無損害的情況下來處理所述RSC載體器件。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述載體窗口為足夠剛性的，以允許在對RSC片晶中的所述半導體層疊件基本無損害的情況下來處理所述片晶，所述片晶通過再分所述RSC載體器件而獲得。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述附接步驟包括：

提供所述載體窗口；以及

在提供所述載體窗口之后，將所述載體窗口粘合至所述半導體層疊件。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述附接步驟包括：

在所述半導體層疊件上就地形成所述載體窗口。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述基底包括III-V半導體材料，并且所述半導體層疊件包括II-VI半導體材料。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述基底和所述半導體層疊件均包括III-V半導體材料。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述基底和所述半導體層疊件均包括II-VI半導體材料。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體層疊件的所述有源區還包括第一吸收層，所述第一吸收層毗鄰所述第一勢阱并且具有大于所述第一勢阱的躍遷能量的帶隙能量。

12.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述半導體層疊件中形成提取特征。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述提取特征中的至少一些在所述附接步驟之前形成，并且所述附接步驟包括將所述載體窗口鄰近該至少一些提取特征附接到所述半導體層疊件。

14.根據權利要求1所述的方法，其中所述載體窗口基本上透射所述第一波長λ₁的光和所述第二波長λ₂的光。

15.根據權利要求1所述的方法，其中所述載體窗口基本上阻擋所述第一波長λ₁的光，并且基本上透射所述第二波長λ₂的光。

16.根據權利要求1所述的方法，其中所述載體窗口通過吸收來基本上阻擋所述第一波長λ₁的光。

17.根據權利要求1所述的方法，其中所述載體窗口包括介電晶體材料。

18.根據權利要求17所述的方法，其中所述介電晶體材料選自藍寶石、金剛石和碳化硅。

19.根據權利要求1所述的方法，其中所述載體窗口包括玻璃。

20.根據權利要求19所述的方法，其中所述載體窗口包括熔融的二氧化硅或硼硅酸鹽玻璃。

21.根據權利要求1所述的方法，還包括：

再分所述RSC載體器件，從而得到多個RSC片晶，每一個片晶包括所述半導體層疊件的一部分和所述載體窗口的一部分。