[發明專利]制造半導體裝置的方法有效
| 申請號： | 201080030336.2 | 申請日： | 2010-06-09 |
| 公開（公告）號： | CN102473729A | 公開（公告）日： | 2012-05-23 |
| 發明（設計）人： | 及川欣聰;岡崎健一;丸山穗高 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孔青;林毅斌 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制造 半導體 裝置 方法 | ||
1.制造半導體裝置的方法，所述方法包括以下步驟：
在具有絕緣表面的襯底上形成柵電極層；
在所述柵電極層上形成柵絕緣層；
在所述柵絕緣層上形成氧化物半導體層；
在所述氧化物半導體層上形成與所述氧化物半導體層接觸的金屬膜；
蝕刻所述金屬膜以在所述氧化物半導體層中形成暴露區域且在所述氧化物半導體層上形成與所述氧化物半導體層接觸的源電極層和漏電極層；
在含有氧元素的氣體存在下對所述暴露區域進行等離子體處理；和
在所述氧化物半導體層、所述源電極層和所述漏電極層上形成與所述氧化物半導體層、所述源電極層和所述漏電極層接觸的氧化物絕緣膜，
其中進行所述蝕刻以使得所述氧化物半導體層的暴露區域的厚度小于用所述源電極層或所述漏電極層覆蓋的所述氧化物半導體層的區域。
2.權利要求1的方法，
其中所述氧化物半導體層包含銦、鋅、氧和選自Ga、Fe、Ni、Mo和Co的金屬。
3.權利要求1的方法，
其中所述氧化物半導體層具有由InMO3(ZnO)m表示的組成，
其中M為選自Ga、Fe、Ni、Mo和Co的金屬，且
其中m大于0。
4.權利要求1的方法，
其中所述氣體選自氧氣、氧化氮氣體和二氧化氮氣體。
5.權利要求1的方法，還包括加熱處理步驟，
其中自所述等離子體處理進行所述加熱處理步驟直至形成所述氧化物絕緣膜。
6.權利要求1的方法，
其中所述氧化物絕緣膜包含硅。
7.權利要求1的方法，
其中所述暴露區域的側面與所述源電極層和所述漏電極層的至少一個側面位于相同的平面上。
8.權利要求1的方法，
其中進行所述蝕刻以使得整個所述氧化物半導體層覆蓋所述柵電極層的一部分。
9.制造半導體裝置的方法，所述方法包括以下步驟：
在具有絕緣表面的襯底上形成柵電極層；
在所述柵電極層上形成柵絕緣層；
在所述柵絕緣層上形成氧化物半導體層；
在所述氧化物半導體層上形成與所述氧化物半導體層接觸的金屬膜；
蝕刻所述金屬膜以在所述氧化物半導體層中形成暴露區域且在所述氧化物半導體層上形成與所述氧化物半導體層接觸的源電極層和漏電極層；
將所述襯底引入反應室中；
將所述襯底放置所述反應室中，將含有氧元素的氣體引入所述反應室中；
將所述襯底放置所述反應室中，在所述氣體存在下在所述反應室中產生等離子體，
在所述反應室中在所述氧化物半導體層、所述源電極層和所述漏電極層上形成與所述氧化物半導體層、所述源電極層和所述漏電極層接觸的氧化物絕緣膜，
其中進行所述蝕刻以使得所述氧化物半導體層的暴露區域的厚度小于用所述源電極層或所述漏電極層覆蓋的所述氧化物半導體層的區域。
10.權利要求9的方法，
其中所述氧化物半導體層包含銦、鋅、氧和選自Ga、Fe、Ni、Mo和Co的金屬。
11.權利要求9的方法，
其中所述氧化物半導體層具有由InMO3(ZnO)m表示的組成，
其中M為選自Ga、Fe、Ni、Mo和Co的金屬，且
其中m大于0。
12.權利要求9的方法，
其中所述氣體選自氧氣、氧化氮氣體和二氧化氮氣體。
13.權利要求9的方法，還包括加熱處理步驟，
其中所述加熱處理步驟在將所述襯底引入所述反應室中之后進行直至完成所述氧化物絕緣膜的形成。
14.權利要求9的方法，
其中所述氧化物絕緣膜包含硅。
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