[發明專利]光電子半導體器件和用于制造無機光電子半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201080029752.0
• 申請日: 2010-06-10
• 公開（公告）號: CN102473810A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: 盧茨·赫佩爾;諾溫·文馬爾姆
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/40
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王萍;陳煒

1.一種光電子半導體器件(1)，其具有

-支承體(2)，

-具有至少一個有源層(30)的至少一個半導體層序列(3)，其中半導體層序列(3)被安置在支承體(3)上，以及

-金屬鏡(4)，其處于支承體(2)與半導體層序列(3)之間，

其中，

-支承體(2)和半導體層序列(3)在橫向方向上突出于金屬鏡(4)，以及

-金屬鏡(4)在橫向方向上直接被封裝層(5)圍繞。

2.根據前一項權利要求所述的光電子半導體器件(1)，

其中封裝層(5)的厚度在30nm到70nm之間，其中包括邊界值，并且封裝層(5)的缺陷密度為最高每平方毫米0.1個缺陷，其中封裝層(5)是電絕緣以及透射輻射的并且部分地或者完全地覆蓋：

-金屬鏡(4)的所有橫向邊界面，

-半導體層序列(3)的朝向支承體(2)、突出于金屬鏡(4)的邊界面，

-半導體層序列(3)的邊緣(32)，以及

-支承體(2)、第二鏡層(6)和/或焊接連接層(22)的朝向半導體層序列(3)并且在輻射穿透面(35)的俯視圖中被半導體層序列(3)覆蓋的邊界面。

3.根據前述權利要求之一所述的光電子半導體器件(1)，

其中封裝層(5)包含以下材料之一或者由以下材料之一構成：氧化銦錫、鎢、SiO₂、Al₂O₃和/或ZrO₂。

4.根據前述權利要求之一所述的光電子半導體器件(1)，

其中封裝層(5)的材料針對水和氧氣具有根據0.1μm的材料厚度來計算的最高10^-5g/(m²d)的特定擴散常數。

5.根據前述權利要求之一所述的光電子半導體器件(1)，

其中金屬鏡(4)具有在100nm到200nm之間的厚度，其中包括邊界值，并且其中封裝層(5)的厚度在20nm到100nm之間，其中包括邊界值。

6.根據前述權利要求之一所述的光電子半導體器件(1)，

其中封裝層(5)在橫截面中是U形的。

7.根據前述權利要求之一所述的光電子半導體器件(1)，

其中封裝層(5)包括至少兩種不同材料的單個層(5a，5b)的序列，其中封裝層(5)總共包括至少四個單個層(5a，5b)并且單個層(5a，5b)的厚度分別在2nm到8nm之間，其中包括邊界值。

8.根據前述權利要求之一所述的光電子半導體器件(1)，

其中，半導體層序列(3)突出于金屬鏡(4)的橫向突出部(L)在100nm到2.0μm之間，其中包括邊界值。

9.根據前述權利要求之一所述的光電子半導體器件(1)，

其中封裝層(5)是透明的，并且吸收最高3.0％的通過的、被有源層(30)產生的或者待接收的輻射。

10.根據前述權利要求之一所述的光電子半導體器件(1)，

其包括第二鏡層(6)，該第二鏡層(6)處于金屬鏡(4)與支承體(2)之間并且在橫向方向上突出于半導體層序列(3)，其中第二鏡層(6)被構建為反射通過封裝層(5)透射的、在有源層(30)中產生的輻射。

11.根據前述權利要求之一所述的光電子半導體器件(1)，

其中金屬鏡(4)的面積與半導體層序列(3)的面積的比例為至少95％。

12.根據前述權利要求之一所述的光電子半導體器件(1)，

其中(5)半導體層序列(3)的輻射穿透面(35)沒有封裝層。

13.一種用于制造無機光電子半導體器件的方法，其具有以下步驟：

-提供支承體(2)、半導體層序列(3)和金屬鏡(4)，其中金屬鏡(4)處于支承體(2)與半導體層序列(3)之間并在橫向方向上被其突出，以及

-將封裝層(5)在橫向方向上直接施加在金屬鏡(4)上，

其中，封裝層(5)通過原子層沉積來產生。

14.根據前一項權利要求所述的方法，其中在封裝層(5)上通過氣相沉積施加厚度在100nm到500nm之間的保護層(50)，其中包括邊界值。