[發明專利]沉積膜形成裝置及沉積膜形成方法

無效

• 申請號: 201080029564.8
• 申請日: 2010-08-30
• 公開（公告）號: CN102471886A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: 伊藤憲和;稻葉真一郎;松居宏史
• 申請（專利權）人: 京瓷株式會社
• 主分類號: C23C16/507
• 分類號: C23C16/507;H01L31/04
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶寧樂;向勇

1.一種沉積膜形成裝置，具有：

腔室；

第一電極，其位于所述腔室內；

第二電極，其位于所述腔室內，且與所述第一電極隔開規定間隔，

該第二電極具有：

第一供給部，其用于將第一原料氣體供給至所述第一電極和所述第二電極之間的空間；

多個第二供給部，它們用于將第二原料氣體供給至所述空間；

第一供給路徑，其與所述第一供給部相連接，用于導入所述第一原料氣體；

第二供給路徑，其與所述第二供給部相連接，用于導入所述第二原料氣體，

該沉積膜形成裝置的特征在于，

所述第二供給路徑具有：

干流部，其具有用于導入所述第二原料氣體的第一導入口；

支流部，其具有多個氣體流路，這些氣體流路具有用于從該干流部導入所述第二原料氣體的第二導入口，

在該支流部的多個所述氣體流路分別與多個所述第二供給部相連接，

所述干流部及所述支流部，具有使所述第二原料氣體不以順流的方式從所述第一導入口流至所述第二供給部的結構。

2.根據權利要求1記載的沉積膜形成裝置，其特征在于，

使所述第二原料氣體不以順流的方式從所述第一導入口流至所述第二供給部的結構是指如下結構：在所述支流部的一個氣體流路中，與所述一個氣體流路相連接的所述第二供給部的入口，不位于連接所述第一導入口和所述第二導入口的直線上。

3.根據權利要求1記載的沉積膜形成裝置，其特征在于，

使所述第二原料氣體不以順流的方式從所述第一導入口流至所述第二供給部的結構是指如下結構：在所述干流部的長度方向上，所述第一導入口和所述第二導入口之間的距離，在干流部的剖面開口長度以上。

4.根據權利要求1記載的沉積膜形成裝置，其特征在于，

使所述第二原料氣體不以順流的方式從所述第一導入口流至所述第二供給部的結構是指如下結構：在所述干流部內設有整流構件，所述整流構件用于改變從所述干流部向所述支流部流動的所述第二原料氣體的氣體流的流向。

5.根據權利要求1至4中的任一項記載的沉積膜形成裝置，其特征在于，

排列配置多個所述支流部，且多個該支流部的兩端分別與不同的所述干流部相連接。

6.根據權利要求1至5中的任一項記載的沉積膜形成裝置，其特征在于，

在所述第一供給路徑上設有加熱催化體。

7.根據權利要求1至6中的任一項記載的沉積膜形成裝置，其特征在于，

在所述第一供給部中，擴大所述第一供給部的出口的流路剖面面積，使得產生空心陰極放電。

8.根據權利要求1至7中的任一項記載的沉積膜形成裝置，其特征在于，

隨著遠離所述第一導入口，所述支流部的所述氣體流路的流路剖面面積變大。

9.根據權利要求1至8中的任一項記載的沉積膜形成裝置，其特征在于，

所述支流部具有緩沖空間，該緩沖空間是用于緩沖所述第二原料氣體的流速的緩沖部，該緩沖空間具有多個使所述第二原料氣體通過的開口。

10.根據權利要求9記載的沉積膜形成裝置，其特征在于，

所述緩沖空間的所述開口的個數比所述第二供給部的個數少。

11.根據權利要求9或10記載的沉積膜形成裝置，其特征在于，

所述緩沖空間的所述開口的剖面面積比所述第二供給部的流路剖面面積小。

12.根據權利要求9至11中的任一項記載的沉積膜形成裝置，其特征在于，

在俯視所述支流部時，與在所述支流部的兩端側相比，在中央側設有更多的所述緩沖空間的所述開口。

13.根據權利要求1至12中的任一項記載的沉積膜形成裝置，其特征在于，

在俯視所述支流部時，越靠近位于所述支流部的中央的氣體流路，所述氣體流路的開口剖面面積越大。

14.一種沉積膜形成方法，使用根據權利要求1至13中的任一項記載的沉積膜形成裝置，在配置于所述第一電極和所述第二電極之間的基材上形成沉積膜，該沉積膜形成方法的特征在于，

將所述第一原料氣體及所述第二原料氣體供給至所述第一電極和所述第二電極之間，且產生等離子體，由此在所述基材上面形成沉積膜。