[發明專利]具有包含合成物材料的制模化合物的電子裝置

有效

• 申請號: 201080029411.3
• 申請日: 2010-06-23
• 公開（公告）號: CN102484107A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: A·D·弗戈爾;D·S·萊托尼恩;R·C·布萊什二世
• 申請（專利權）人: 斯班遜有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L23/29;G11C16/34;H01L23/16;H01L27/115;H05K9/00;H01L23/544
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種電子裝置，包含：

封裝的集成電路(100)，包含：

集成電路晶粒(132)，具有主要表面；以及

制模化合物(104)，在該集成電路晶粒的該主要表面上；

其中，該封裝的集成電路(100)包含相對于該制模化合物至少大約5重量百分比(5wt％)鋅。

2.如權利要求1、10、14-16、21及29-32所述的電子裝置，其中，該制模化合物(104)包含至少大約5重量百分比(5wt％)鋅。

3.如權利要求2-10、14-16及21-32所述的電子裝置，其中，該集成電路晶粒(102)包含相對于該主要表面的另一表面，并且其中，該主要表面是設置于其它表面與實質上該制模化合物中的所有該鋅(210)之間。

4.如權利要求1及21所述的電子裝置，其中，該制模化合物(104)包含大約10wt％鋅。

5.如權利要求1、14-16及21-32所述的電子裝置，其中，該制模化合物包含從大約5wt％至大約25wt％。

6.如權利要求5、21及32所述的電子裝置，其中，該制模化合物(104)包含從大約5wt％至大約10wt％鋅。

7.如權利要求5、21及32所述的電子裝置，其中，該制模化合物(104)包含從大約5wt％至大約15wt％鋅。

8.如權利要求5、21及32所述的電子裝置，其中，該制模化合物(104)包含從大約15wt％至大約20wt％鋅。

9.如權利要求5、21及32所述的電子裝置，其中，該制模化合物包含從大約20wt％至大約25wt％鋅。

10.如權利要求1、14-16及21-32所述的電子裝置，其中，該鋅是實質均勻地分布整個該制模化合物(104)。

11.如權利要求1、14-16及21-32所述的電子裝置，其中，該鋅(210)是設置于一層該制模化合物中，該層制模化合物包含該封裝的集成電路的表面。

12.如權利要求11、14-16及21-32所述的電子裝置，其中，該鋅(310)是包含在該制模化合物的表面上的涂層中。

13.如權利要求1、14-16及21-32所述的電子裝置，其中，該鋅(410)設置于一層該制模化合物中，該層制模化合物未包含該封裝的集成電路的表面。

14.如權利要求1所述的電子裝置，其中，該制模化合物(104)包含氧化鋅、硼酸鋅或其組合。

15.如權利要求1所述的電子裝置，其中，該制模化合物(104)包含合成物材料，該合成物材料包含氧化硅、有機材料、環氧樹脂、酚硬化劑、催化劑、染料、脫模劑、阻陷劑或其組合。

16.如權利要求1所述的電子裝置，其中，該制模化合物包含模型記號。

17.一種電子裝置，包含：

封裝的集成電路(100)，包含：

集成電路晶粒(102)，具有主要表面；以及

材料(104)，在該集成電路的主要表面上，具有大約1000至10,000cm²/g的x-光質量吸收系數。

18.如權利要求17所述的電子裝置，復包含制模化合物(104)，其包含在該主要表面上的該材料，其中，該材料在與該集成電路晶粒的該主要表面平行的區域中包含大約0.3μmol/cm²鋅。

19.如權利要求18所述的電子裝置，其中，該鋅是分布于輻射來源與該集成電路晶粒的該主要表面之間。

20.如權利要求18所述的電子裝置，其中，該鋅是分布于輻射來源與除了該集成電路晶粒的該主要表面以外的表面之間。