[發明專利]氧化物半導體、薄膜晶體管陣列基板及其制造方法和顯示裝置

有效

• 申請號: 201080029375.0
• 申請日: 2010-03-10
• 公開（公告）號: CN102473727A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: 太田純史;森豪;錦博彥;近間義雅;會田哲也;鈴木正彥;中川興史;竹井美智子;春本祥征;原猛
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;G02F1/1368
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種氧化物半導體，其特征在于：

其是薄膜晶體管用的氧化物半導體，

該氧化物半導體包含銦、鎵、鋅和氧作為構成原子，

當將化學計量的狀態按原子單位設為100％時，該氧化物半導體的氧含量是87～95％。

2.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：

所述薄膜晶體管陣列基板在基板的主面上具有薄膜晶體管，

該薄膜晶體管具有包含權利要求1所述的氧化物半導體的溝道層。

3.如權利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：

所述薄膜晶體管還具有覆蓋所述溝道層的保護層，

該保護層包括含有氧原子的材料。

4.一種顯示裝置，其特征在于：

包括權利要求2或3所述的薄膜晶體管陣列基板。

5.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于：

所述薄膜晶體管陣列基板在基板的主面上具有薄膜晶體管，

所述薄膜晶體管陣列基板的制造方法包括：

用絕緣膜覆蓋在基板的主面上形成的掃描配線的絕緣膜形成工序；

在從法線方向觀察基板面時與該掃描配線重疊的位置形成氧化物半導體層的半導體層形成工序；

在該氧化物半導體層上形成信號配線和漏極電極的配線和電極形成工序；

形成覆蓋該信號配線和該漏極電極的保護層的保護層形成工序；和

形成覆蓋該保護層的層間絕緣膜的層間絕緣膜形成工序，

在該保護層形成工序和該層間絕緣膜形成工序之間，還包括烘焙處理工序。

6.如權利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于：

所述烘焙處理在薄膜晶體管陣列基板的制造工序的處理溫度中最高的處理溫度下進行。