[發明專利]壓電體薄膜的制造方法以及經該制造方法所制造的壓電體薄膜有效
| 申請號： | 201080028605.1 | 申請日： | 2010-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN102474234A | 公開（公告）日： | 2012-05-23 |
| 發明（設計）人： | 秋山守人;加納一彥;敕使河原明彥 | 申請（專利權）人： | 獨立行政法人產業技術綜合研究所;株式會社電裝 |
| 主分類號： | H03H3/02 | 分類號： | H03H3/02;C23C14/06;H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人： | 李冬梅;蘇蕾 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 壓電 薄膜 制造 方法 以及 | ||
【權利要求書】：
1.一種壓電體薄膜的制造方法，所述壓電體薄膜在其基板上具備含鈧的氮化鋁薄膜，
該制造方法的特征在于：
包含濺射工序：在至少含有氮氣的環境下，用鋁和鈧進行濺射，使得在將鈧原子數與所述氮化鋁薄膜中的鋁原子數的總量設為100原子％時的鈧含有率，處于0.5原子％～50原子％的范圍內；并且
在所述濺射工序中，所述基板的溫度處于5℃～450℃的范圍內。
2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于：
在所述濺射工序中，所述基板的溫度處于200℃～400℃的范圍內。
3.根據權利要求1或2所述的制造方法，其特征在于：
在所述濺射工序中，所述基板的溫度為400℃。
4.根據權利要求1至3中任意一項所述的制造方法，其特征在于：
在所述濺射工序中，以使所述鈧含有率處于35原子％～40原子％的范圍內的形式，進行濺射。
5.一種壓電體薄膜，其特征在于：
是通過權利要求1至4中任意一項所述的制造方法來制造的。
6.根據權利要求5所述的壓電體薄膜，其特征在于：
X射線搖擺曲線的半峰寬為3.2度以下。
7.根據權利要求5或6所述的壓電體薄膜，其特征在于：
表面的算術平均粗糙度是小于1.2nm的值。
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