[發(fā)明專利]發(fā)光裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080028595.1
• 申請日: 2010-07-02
• 公開（公告）號: CN102473815A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吉村健一;高橋向星;福永浩史;廣崎尚登
• 申請（專利權(quán)）人: 夏普株式會社;獨(dú)立行政法人物質(zhì)·材料研究機(jī)構(gòu)
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 張遠(yuǎn)

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于，具備：

發(fā)出藍(lán)色光的半導(dǎo)體發(fā)光元件；

吸收該藍(lán)色光來發(fā)出綠色光的綠色熒光體；和

吸收該藍(lán)色光來發(fā)出橙色光的橙色熒光體，

上述綠色熒光體和上述橙色熒光體發(fā)出的熒光的發(fā)光光譜的峰值波長在540nm以上且565nm以下的范圍內(nèi)，在設(shè)該峰值波長的發(fā)光強(qiáng)度為PI(MAX)、比該峰值波長長90nm的波長下的發(fā)光強(qiáng)度為PI(90)時，滿足下面的關(guān)系：

0.70＞PI(90)/PI(MAX)＞0.55。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于，

在綠色熒光體和橙色熒光體所發(fā)出的熒光的上述發(fā)光光譜中，設(shè)比峰值波長短35nm的波長下的發(fā)光強(qiáng)度為PI(-35)時，還滿足以下關(guān)系：

PI(-35)/PI(MAX)＜0.60。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于，

上述半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出的藍(lán)色光的峰值波長在440nm以上且470nm以下的范圍內(nèi)，

上述橙色熒光體發(fā)出的熒光的發(fā)光光譜中的峰值波長在570nm以上且620nm以下的范圍內(nèi)，

上述橙色熒光體發(fā)出的熒光的上述發(fā)光光譜中的半值幅度在120nm以上且150nm以下的范圍內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于，

在設(shè)比420nm長的波長側(cè)中的上述橙色熒光體的吸收率的最大值為ABS(MAX)、設(shè)波長520nm下的上述橙色熒光體的吸收率為ABS(520)時，滿足以下關(guān)系：

ABS(520)/ABS(MAX)＜0.60。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于，

上述橙色熒光體是Ce激活熒光體。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于，

上述Ce激活熒光體是Ce激活氮化物系熒光體或Ce激活氮氧化物系熒光體。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于，

上述Ce激活熒光體是含有具有以下述的一般式(1)所表示的化學(xué)組成的結(jié)晶相的熒光體：

(1-a-b)(Ln′_pM(II)′_(1-p)M(III)′M(IV)′N₃)·a(M(IV)′_(3n+2)/4N_nO)·b(A·M(IV)′₂N₃)……(1)

式中，Ln′是從鑭系元素、Mn以及Ti構(gòu)成的群中選擇的至少一種金屬元素，

M(II)′是從由Ln′元素以外的2價的金屬元素構(gòu)成的群中選擇的一種或2種以上的元素，

M(III)′是從由3價金屬元素構(gòu)成的群中選擇的1種或2種以上的元素，

M(IV)′是從由4價金屬元素構(gòu)成的群中選擇的1種或2種以上的元素，

A是從Li、Na、以及K構(gòu)成的群中選擇的1種以上的1價金屬元素，

P為滿足0＜p≤0.2的數(shù)，

a、b以及n為滿足0≤a、0≤b、0＜a+b＜1、0≤n以及0.002≤(3n+2)a/4≤0.9的數(shù)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于，

上述Ce激活熒光體是在具有下述組成的結(jié)晶中固溶了Ce和氧的固溶體結(jié)晶，該組成為：

cCaAlSiN₃·(1-c)LiSi₂N₃

其中，0.2≤c≤0.8。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于，

固溶了Ce和氧的上述固溶體結(jié)晶中的Ce濃度在6重量％以下的范圍內(nèi)。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于，

固溶了Ce和氧的上述固溶體結(jié)晶中的Li濃度為1.5重量％以上且4重量％以下的范圍內(nèi)。