[發明專利]光反射基板及其制造方法

無效

• 申請號: 201080028235.1
• 申請日: 2010-06-23
• 公開（公告）號: CN102460749A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 畠中優介;堀田吉則;上杉彰男
• 申請（專利權）人: 富士膠片株式會社
• 主分類號: H01L33/60
• 分類號: H01L33/60;H01L33/50
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 陳平

1.一種光反射基板，所述光反射基板至少包括：

絕緣層；和

金屬層，所述金屬層與所述絕緣層接觸安置，

其中在大于320nm并且不大于700nm的波長范圍內的光的全反射率不小于50％，并且在300nm至320nm的波長范圍內的光的全反射率不小于60％。

2.根據權利要求1所述的光反射基板，其中所述光反射基板的表面具有平均波長為0.01至100μm的凹凸部。

3.根據權利要求1或2所述的光反射基板，其中通過式(1)計算的表面積差ΔS不小于5％并且不大于90％：

ΔS＝[(S_x-S₀)/S₀]×100(％)????(1)

其中S_x表示所述光反射基板的50μm×50μm表面區域的實際表面積，所述實際表面積通過三點近似從用原子力顯微鏡在512×512點測得的所述表面區域上的三維數據確定，并且S₀表示所述表面區域的幾何測量表面積。

4.根據權利要求1至3中的任一項所述的光反射基板，其中所述金屬層為鋁并且所述絕緣層為鋁的陽極氧化膜。

5.根據權利要求1至4中的任一項所述的光反射基板，其中所述光反射基板是反射從朝向發光觀測表面的發光元件發射的光的光反射基板。

6.根據權利要求1至5中的任一項所述的光反射基板，其中所述金屬層具有帶有凹坑的形狀，并且所述絕緣層形成于所述帶有凹坑的形狀的表面上。

7.一種制造根據權利要求1至6中的任一項所述的光反射基板的方法，所述方法包括：

準備鋁板；

將所述鋁板的表面粗糙化；和

將所述粗糙化的表面陽極氧化以形成所述絕緣層。

8.一種制造根據權利要求1至6中的任一項所述的光反射基板的方法，所述方法至少包括：

準備鋁板；和

將所述鋁板的表面粗糙化并且之后以任意順序進行以下步驟(a)和(b)：

(a)形成其中安置發光元件的互連通孔，并且進行用于將所述基板芯片化的打線；和

(b)將所述粗糙化的表面陽極氧化以形成所述絕緣層。

9.根據權利要求6所述的光反射基板，所述光反射基板通過將至少兩片根據權利要求1至4中的任一項所述的光反射基板重疊而形成，其中在一片鋁板中形成至少一個通孔，而在另一片鋁板中未形成通孔。

10.根據權利要求8所述的制備光反射基板的方法，其中當進行打線以使得在多個芯片周圍形成用于單獨地切割芯片的切除部，并且在所述切除部的一部分中形成將所述多個芯片連接至所述鋁板的連接部時，所述打線包括以下打線方法：對鋁板充當所述連接部的部分進行設計以使其比充當芯片的部分薄，通過所述打線切去所述切除部以將所述連接部留在所述鋁板中，然后將所述鋁板陽極氧化，然后切割所述連接部，從而減少或移除在通過切割所述連接部而分離的單個芯片的厚度方向上形成的鋁部分的面積。

11.根據權利要求8或10所述的制備光反射基板的方法，其中在根據權利要求8或10的步驟之后以任意順序進行下列步驟(c)和(d)：

(c)形成用于將電信號傳送至發光元件的金屬互連層，并且將所述金屬互連層圖案化；和

(d)再次在對應于其上安裝所述發光元件的部分的電極部分中形成金屬層。

12.一種發白光二極管裝置，所述發白光二極管裝置在根據權利要求1至6和權利要求9中的任一項所述的光反射基板的上層中具有發藍光元件，并且在所述發藍光元件周圍和/或之上具有熒光發光體。