[發明專利]反熔絲元件有效
| 申請號: | 201080028169.8 | 申請日: | 2010-07-08 |
| 公開(公告)號: | CN102473674A | 公開(公告)日: | 2012-05-23 |
| 發明(設計)人: | 竹島裕;中磯俊幸;谷晉輔 | 申請(專利權)人: | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號: | H01L21/82 | 分類號: | H01L21/82;H01L21/822;H01L27/04;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 李偉;王軼 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 反熔絲 元件 | ||
1.一種反熔絲元件,其特征在于,
具備電容部,該電容部具有絕緣層和形成于所述絕緣層的上下面的至少一對電極層,
所述電容部具有針對靜電放電的保護功能。
2.根據權利要求1所述的反熔絲元件,其特征在于,
所述電容部在機器模型的靜電破壞試驗中的耐壓為100V~250V。
3.根據權利要求1或2所述的反熔絲元件,其特征在于,
所述電容部的靜電電容為1nF~100nF。
4.根據權利要求1或2所述的反熔絲元件,其特征在于,
所述電容部的靜電電容為4.2nF~15nF。
5.根據權利要求3或4所述的反熔絲元件,其特征在于,
所述絕緣層的介電常數為100~1000。
6.根據權利要求1~5中任一項所述的反熔絲元件,其特征在于,
當施加所述絕緣層的絕緣破壞電壓以上的電壓時,所述至少一對電極層熔融,所述至少一對電極層彼此熔接而電連接。
7.根據權利要求6所述的反熔絲元件,其特征在于,
當施加所述絕緣層的絕緣破壞電壓以上的電壓時,所述至少一對電極層熔融,并且所述絕緣層被斷開,在卷入所述絕緣層的狀態下所述至少一對電極層彼此熔接。
8.根據權利要求1~7中任一項所述的反熔絲元件,其特征在于,
所述絕緣層的材質為(Ba、Sr)TiO3,所述至少一對電極層的材質為由從金、銀、鉑、鈀、銠、銥、釕、鋨構成的組中選出的至少一種元素構成的金屬或者其合金。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





