[發明專利]半導體襯底的再加工方法及SOI襯底的制造方法

無效

• 申請號: 201080028163.0
• 申請日: 2010-06-08
• 公開（公告）號: CN102460642A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 花岡一哉
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/20;H01L21/306;H01L21/322;H01L27/12
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 郭輝

1.一種半導體襯底的再加工方法，包括如下步驟：

通過采用氫離子注入剝離法將H⁺離子注入到半導體襯底中，形成脆化層，其中絕緣膜設置在所述半導體襯底的周圍；

將所述半導體襯底結合到支撐襯底，兩者之間插入絕緣膜；

從所述半導體襯底分離半導體膜，其中所述分離之后的所述半導體襯底包括：

所述脆化層的一部分；以及

所述脆化層上的半導體層，

通過第一蝕刻處理去除所述絕緣膜；以及

通過使用包含氫氟酸、硝酸及醋酸的混合溶液的第二蝕刻處理去除所述脆化層及所述半導體層。

2.根據權利要求1所述的半導體襯底的再加工方法，

其中所述混合溶液具有如下獲得的組成：通過將70重量％的硝酸的體積設定為97.7重量％的醋酸的體積的0.2倍以上且0.5倍以下，并設定為50重量％的氫氟酸的體積的1倍以上且10倍以下，還通過將所述50重量％的氫氟酸設定為所述97.7重量％的醋酸的體積的0.1倍以上且0.2倍以下。

3.根據權利要求1所述的半導體襯底的再加工方法，

其中以使所述混合溶液浸透到所述半導體層及所述脆化層的方式進行所述第二蝕刻處理。

4.根據權利要求1所述的半導體襯底的再加工方法，

其中在所述第二蝕刻處理之后對所述半導體襯底的表面進行拋光。

5.根據權利要求1所述的半導體襯底的再加工方法，

其中使用包含氫氟酸、氟化銨及表面活性劑的溶液進行所述第一蝕刻處理。

6.根據權利要求1所述的半導體襯底的再加工方法，

其中所述氫氟酸、硝酸和醋酸之間的體積比為1∶3∶10。

7.根據權利要求1所述的半導體襯底的再加工方法，

其中所述氫氟酸、硝酸和醋酸之間的體積比為1.5∶3∶10。

8.根據權利要求1所述的半導體襯底的再加工方法，

其中所述氫氟酸、硝酸和醋酸之間的體積比為2∶2∶10。

9.根據權利要求1所述的半導體襯底的再加工方法，

其中所述氫氟酸、硝酸和醋酸之間的體積比為1∶10∶20。

10.根據權利要求1所述的半導體襯底的再加工方法，

其中所述氫氟酸、硝酸和醋酸之間的體積比為1∶1∶10。

11.一種襯底的制造方法，包括如下步驟：

在半導體襯底上形成絕緣膜；

通過采用氫離子注入剝離法從所述半導體襯底的表面注入H⁺離子，形成脆化層；

將所述半導體襯底結合到支撐襯底，兩者之間插入絕緣膜；

從所述半導體襯底分離半導體膜，其中所述分離之后的所述半導體襯底包括：

所述脆化層的一部分；以及

所述脆化層上的半導體層，

通過第一蝕刻處理去除所述絕緣膜；

通過使用包含氫氟酸、硝酸及醋酸的混合溶液的第二蝕刻處理去除所述脆化層的一部分及所述半導體層；以及

在所述分離之后對所述半導體襯底進行拋光。

12.根據權利要求11所述的襯底的制造方法，

其中所述混合溶液具有如下獲得的組成：通過將70重量％的硝酸的體積設定為97.7重量％的醋酸的體積的0.2倍以上且0.5倍以下，并設定為50重量％的氫氟酸的體積的1倍以上且10倍以下，還通過將所述50重量％的氫氟酸體積設定為所述97.7重量％的醋酸的體積的0.1倍以上且0.2倍以下。

13.根據權利要求11所述的襯底的制造方法，

其中以使所述混合溶液浸透到所述半導體層及所述脆化層的方式進行所述第二蝕刻處理。

14.根據權利要求11所述的襯底的制造方法，

其中使用包含氫氟酸、氟化銨及表面活性劑的溶液進行所述第一蝕刻處理。