[發明專利]子衍射極限傳感器的彩色濾波器有效
| 申請號: | 201080028158.X | 申請日: | 2010-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN102460701A | 公開(公告)日: | 2012-05-16 |
| 發明(設計)人: | S·科斯基寧;T·里薩;O·卡萊沃;J·阿拉卡爾胡 | 申請(專利權)人: | 諾基亞公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人: | 趙鵬華;楊曉光 |
| 地址: | 芬蘭*** | 國省代碼: | 芬蘭;FI |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 衍射 極限 傳感器 彩色 濾波器 | ||
1.一種裝置,包括在具有光接收表面的基底中形成的子衍射極限大小的光接收器的陣列,每個光接收器被配置為輸出二進制值的比特元素,以及通過至少一個光子的吸收在關閉狀態和開啟狀態之間改變狀態;以及設置在所述光接收表面上的光濾波器結構,該光濾波器結構包括濾波器像素的陣列,其每個具有相關通帶光譜特征;其中從所述子衍射極限大小的光接收器的陣列獲得的數據元素包括從多個光接收器輸出的多個比特元素,所述多個光接收器成為具有至少兩個不同通帶光譜特征的濾波器像素的基礎。
2.如權利要求1所述的裝置,其中從包括窄帶通、寬帶通、帶阻、高通和低通的一組通帶光譜特征選擇通帶光譜特征。
3.如權利要求2所述的裝置,其中所述一組通帶光譜特征還包括非傳統帶。
4.如權利要求1-3中任一項所述的裝置,其中濾波器像素的至少一些是透明像素或中性密度像素之一。
5.如權利要求1-4中任一項所述的裝置,其中單體濾波器像素重疊單體光接收器。
6.如權利要求1-5中任一項所述的裝置,其中單體濾波器像素重疊多個光接收器。
7.如權利要求1-6中任一項所述的裝置,其中所述濾波器陣列包括響應于至少從紫外延伸到紅外的波長范圍內的電磁輻射的濾波器像素。
8.如權利要求1-7中任一項所述的裝置,其中相比于在光濾波器結構的周圍設置的光濾波器像素,在所述光濾波器結構的中心附近設置的光濾波器像素具有不同通帶光譜特征,以降低成像漸暈。
9.如權利要求1-8中任一項所述的裝置,其中在第一讀出周期期間,從子衍射極限大小的光接收器的所述陣列獲得的第一數據元素包括從第一多個光接收器輸出的第一多個所述比特元素,以及其中在第二讀出周期期間,從子衍射極限大小的光接收器的所述陣列獲得的第二數據元素包括從第二多個光接收器輸出的第二多個所述比特元素,其中第二多個光接收器的至少一個不同于第一多個光接收器。
10.如先前權利要求中任一項所述的裝置,實現為設備中的圖像傳感器的一部分。
11.一種方法,包括:
照射子衍射極限大小的光接收器的陣列的光接收表面,每個光接收器被配置為輸出二進制值的比特元素,以及通過至少一個光子的吸收在關閉狀態和開啟狀態之間改變狀態,其中照射通過在光接收表面上設置的光濾波器結構來發生,其中光濾波器結構包括濾波器像素的陣列,其每個具有相關通帶光譜特征;以及
在曝光周期的結尾,讀出二進制值的比特元素,并形成包括從多個光接收器輸出的多個比特元素的數據元素,所述多個接收器成為具有至少兩個不同通帶光譜特征的濾波器像素的基礎。
12.如權利要求11所述的方法,其中從包括窄帶通、寬帶通、帶阻、高通和低通的一組通帶光譜特征選擇通帶光譜特征。
13.如權利要求12所述的方法,其中所述一組通帶光譜特征還包括非傳統帶。
14.如權利要求11-13中任一項所述的方法,其中濾波器像素的至少一些是透明像素或中性密度像素之一。
15.如權利要求11-14中任一項所述的方法,其中單體濾波器像素重疊單體光接收器。
16.如權利要求11-15中任一項所述的方法,其中單體濾波器像素重疊多個光接收器。
17.如權利要求11-16中任一項所述的方法,其中所述子衍射極限大小的光接收器的陣列響應于至少從紫外延伸到紅外的波長范圍內的電磁輻射。
18.如權利要求11-17中任一項所述的方法,其中相比于在光濾波器結構的周圍設置的光濾波器像素,在所述光濾波器結構的中心附近設置的光濾波器像素具有不同通帶光譜特征,以降低成像漸暈。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





