[發明專利]離子源清凈終點偵測

有效

• 申請號: 201080027722.6
• 申請日: 2010-06-22
• 公開（公告）號: CN102484028A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: 威爾漢·P·普拉托;奈爾·J·巴森;彼得·F·庫魯尼西;艾力克斯恩德·S·培爾;奎格·R·錢尼
• 申請（專利權）人: 瓦里安半導體設備公司
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01J37/08;H01J49/10;H01J27/02;H01J9/38
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

1.一種離子源腔室清凈的終點偵測的方法，包括：

在給定時段內將清凈氣體引入至所述離子源腔室中，所述離子源腔室具有由導電材料組成的內壁；

使所述氣體在所述離子源腔室內離子化；

自所述離子源腔室提取所述經離子化的氣體以形成離子束；

偵測所述離子束中的離子的質譜；

判定所述離子束中的所述離子的所述質譜何時指示所述離子源腔室的所述導電材料在所述給定時段內以相對恒定的比率存在于所述離子束中。

2.根據權利要求1所述的方法，更包括在所述質譜指示所述導電材料以所述相對恒定的比率存在于所述離子束中時，停止清凈氣體至所述離子源腔室的所述引入。

3.根據權利要求1所述的方法，其中偵測所述離子束中的所述離子的所述質譜包含產生表示所述清凈氣體的信號。

4.根據權利要求1所述的方法，其中偵測所述離子束中的所述離子的所述質譜包含產生表示所述導電材料的信號。

5.根據權利要求1所述的方法，其中偵測所述離子的所述質譜包含使用法拉第杯來偵測所述離子束中的所述離子。

6.根據權利要求1所述的方法，其中來自所述離子源腔室的所述經離子化的氣體包含來自所述腔室的所述內壁的沉積物。

7.根據權利要求4所述的方法，其中所述導電材料為鎢。

8.根據權利要求4所述的方法，其中所述導電材料為石墨。

9.一種離子植入系統，包括：

離子源腔室，其由導電材料的內壁界定，所述腔室回應于引入至所述腔室中的清凈氣體而產生離子，所述腔室具有孔，經由所述孔提取所述離子；

質量分析磁體，其安置于所述離子源腔室下游，所述質量分析磁體經組態以自所述離子束選擇具有特定質荷比的離子；

法拉第杯，其安置于所述質量分析磁體下游，所述法拉第杯經組態以接收所述離子束；以及

測流計，其耦接至所述法拉第杯，所述測流計經組態以提供表示由所述法拉第杯接收的所述離子的信號，所述信號表示與所述離子源腔室的所述導電材料以及所述清凈氣體相關聯的離子，其中在表示與所述導電材料相關聯的離子的所述信號在給定時段內相對較恒定時，不將所述清凈氣體引入至所述腔室中。

10.根據權利要求9所述的離子植入系統，其中所述清凈氣體為三氟化氮。

11.根據權利要求9所述的離子植入系統，其中所述清凈氣體為二氯。