[發(fā)明專利]耐酸蝕刻的保護(hù)涂層

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201080026458.4
• 申請(qǐng)日: 2010-03-19
• 公開（公告）號(hào): CN102804347A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐廷基;G·徐;X-F·鐘;洪文斌;T·D·弗萊;K·耶斯;R·K·特里舒爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 布魯爾科技公司
• 主分類號(hào): H01L21/312
• 分類號(hào): H01L21/312
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 王穎

1.一種形成微電子結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括：

提供具有表面的基片；

任選地，在所述基片表面上形成底漆層；

如果存在所述底漆層，在所述底漆層上形成保護(hù)層，或者如果不存在底漆層，在所述基片表面上形成保護(hù)層，從而產(chǎn)生保護(hù)疊層，所述保護(hù)層由包含溶解或分散在溶劑體系中的環(huán)烯烴共聚物的組合物形成；和

使所述保護(hù)疊層經(jīng)歷酸蝕刻過(guò)程。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在使所述疊層經(jīng)歷所述酸蝕刻過(guò)程之前，使所述保護(hù)步驟經(jīng)歷進(jìn)一步的加工步驟。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括使所述保護(hù)層暴光于寬頻帶紫外輻射。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)層是光敏性的，所述暴光操作在所述保護(hù)層上形成暴光部分，所述暴光部分包含交聯(lián)的環(huán)烯烴共聚物。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸蝕刻過(guò)程包括用選自下組的蝕刻劑進(jìn)行蝕刻：HF水溶液、HF蒸氣、HF/H₂O蒸氣、HF/醇蒸氣、HCl、磷酸、HCl/HNO₃、緩沖的氧化物蝕刻劑(″BOE″)、HF/HNO₃/乙酸、濃H₂SO₄、濃HNO₃、以及上述蝕刻劑的混合物。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述環(huán)烯烴共聚物由選自下組的環(huán)烯烴的聚合反應(yīng)形成：

及上述的組合，

式中：

各R₁和R₂獨(dú)立地選自下組：-H和烷基；

各R₃獨(dú)立選自下組：-H、取代和未取代的芳基、烷基、環(huán)烷基、芳烷基、酯基、醚基、乙酰基、醇、醛基、酮、腈及其組合。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述環(huán)烯烴共聚物包含以下(I)和(II)的重復(fù)單體：

(I)：

及上述的組合，

式中：

各R₁和R₂獨(dú)立地選自下組：-H和烷基；

各R₃獨(dú)立選自下組：-H、取代和未取代的芳基、烷基、環(huán)烷基、芳烷基、酯基、醚基、乙酰基、醇、醛基、酮、腈及其組合；

和

(II)：

式中：

-----是單鍵或雙鍵；和

各R₄獨(dú)立地選自下組：-H和烷基。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基片表面上形成底漆層。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述底漆層由包含在溶劑體系中的堿性聚合物的組合物形成。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述堿性聚合物選自下組：聚乙烯基吡啶、聚三聚氰胺、聚乙烯亞胺、含三嗪的共聚物、苯乙烯-馬來(lái)酰亞胺樹脂、聚(4-乙烯基吡啶-共-苯乙烯)和聚(2-乙烯基吡啶-共-苯乙烯)。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基片選自下組：熱氧化物基片，Si基片，SiO₂基片，Si₃N₄基片，硅基片上的SiO₂，硅基片上的Si₃N₄，玻璃基片，石英基片，陶瓷基片，半導(dǎo)體基片和金屬基片。

12.一種制品，其包括：

具有表面的基片；

任選地，在所述基片表面上的底漆層；和

如果存在所述底漆層，在所述底漆層上的保護(hù)層，或者如果不存在底漆層，在所述基片表面上的保護(hù)層，所述保護(hù)層由包含溶解或分散在溶劑體系中的環(huán)烯烴共聚物的組合物形成，

其中，所述保護(hù)層具有第一側(cè)和第二側(cè)，如果存在所述底漆層，所述第一側(cè)與所述底漆層相鄰，或者如果不存在所述底漆層，則所述第一側(cè)與所述基片表面相鄰，無(wú)晶片與所述第二側(cè)接觸。