[發明專利]倏逝電磁波轉換裝置和方法

有效

• 申請號: 201080026429.8
• 申請日: 2010-04-16
• 公開（公告）號: CN102460253A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 杰弗里·A·鮑爾斯;羅德里克·A·海德;愛德華·K·Y·榮格;約翰·布萊恩·彭德魯;戴維·舒里希;戴維·R·斯密斯;克拉倫斯·T·特格林;托馬斯·艾倫·韋弗;查爾斯·惠特默;小洛厄爾·L·伍德
• 申請（專利權）人: 希爾萊特有限責任公司
• 主分類號: G02B6/26
• 分類號: G02B6/26
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 周靖;鄭霞

1.一種電磁裝置，包括：

轉換結構，所述轉換結構具有包括不定張量參數的電磁參數，所述轉換結構響應于在第一表面區域的倏逝電磁波以在第二表面區域提供非倏逝電磁波，其中所述第一表面區域和所述第二表面區域實質上是平面并且實質上平行。

2.一種電磁裝置，包括：

轉換結構，所述轉換結構具有包括不定張量參數的電磁參數，所述轉換結構響應于在第一表面區域的倏逝電磁波以在第二表面區域提供非倏逝電磁波，其中所述第一表面區域和所述第二表面區域中的一個是實質上平面的表面區域，并且所述第一表面區域和所述第二表面區域中的另一個是實質上非平面的表面區域。

3.根據權利要求2所述的電磁裝置，其中所述第一表面區域是實質上平面的表面區域。

4.根據權利要求2所述的電磁裝置，其中所述第二表面區域是實質上平面的表面區域。

5.根據權利要求2所述的電磁裝置，其中所述實質上非平面的表面區域是實質上凹的表面區域或者實質上凸的表面區域。

6.一種電磁裝置，包括：

轉換結構，所述轉換結構具有包括不定張量參數的電磁參數，所述轉換結構響應于在第一表面區域的倏逝電磁波以在第二表面區域提供非倏逝電磁波，其中所述第一表面區域和所述第二表面區域是實質上非平面的并且實質上非同心的。

7.根據權利要求6所述的電磁裝置，其中所述第一表面區域和所述第二表面區域是實質上凹的。

8.根據權利要求6所述的電磁裝置，其中所述第一表面區域和所述第二表面區域是實質上凸的。

9.根據權利要求6所述的電磁裝置，其中所述第一表面區域的第一密切圓的中心與所述第二表面區域的第二密切圓的中心不同，所述第二密切圓與所述第一密切圓共面。

10.根據權利要求9所述的電磁裝置，其中所述第一表面區域是實質上凹的以及所述第二表面區域是實質上凸的。

11.根據權利要求9所述的電磁裝置，其中所述第一表面區域是實質上凸的以及所述第二表面區域是實質上凹的。

12.根據權利要求1、2或6所述的電磁裝置，其中所述不定張量參數包括不定介電常數張量參數。

13.根據權利要求1、2或6所述的電磁裝置，其中所述不定張量參數包括不定磁導率張量參數。

14.根據權利要求1、2或6所述的電磁裝置，其中所述轉換結構響應于具有第一波數的第一頻率的倏逝電磁波以提供具有第二波數的第一頻率的非倏逝電磁波，所述第一波數對應于所述第一表面區域的表面平行方向以及所述第二波數對應于所述第二表面區域的表面平行方向。

15.根據權利要求14所述的電磁裝置，其中在所述轉換結構外部和緊鄰所述第一表面區域的第一區域限定了電磁輻射的第一相位速度，以及所述第一波數大于所述第一頻率與所述第一相位速度之商。

16.根據權利要求15所述的電磁裝置，其中在所述轉換結構外部和緊鄰所述第二表面區域的第二區域限定了電磁輻射的第二相位速度，以及所述第二波數小于所述第一頻率與所述第二相位速度之商。

17.根據權利要求1、2或6所述的電磁裝置，其中所述轉換結構包括連續的相鄰層。

18.根據權利要求17所述的電磁裝置，其中所述連續的相鄰層是第一交替材料和第二交替材料交替連續的相鄰層。

19.根據權利要求18所述的電磁裝置，其中所述第一交替材料是金屬以及所述第二交替材料是電介質或增益介質。

20.根據權利要求18所述的電磁裝置，其中所述第一交替材料是第一半導體材料以及所述第二交替材料是第二半導體材料。

21.根據權利要求1、2或6所述的電磁裝置，其中所述不定張量參數包括對應于不定張量特征向量的不定張量特征值，以及所述電磁參數包括：

對應于軸線方向的軸向電磁參數，所述軸線方向從所述不定張量特征向量中選擇；以及

對應于橫向方向的橫向電磁參數，所述橫向方向與所述軸線方向實質上垂直。