[發明專利]經陽極處理的噴頭

有效

• 申請號: 201080026164.1
• 申請日: 2010-05-13
• 公開（公告）號: CN102460649A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 崔壽永;S·安瓦爾;古田學;樸范秀;R·L·蒂納;J·M·懷特;栗田真一
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H05H1/34
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸嘉

1.一種氣體分配噴頭，包括：

噴頭主體，該噴頭主體具有多個延伸穿過該噴頭主體的氣體通道，該噴頭主體具有中心部分與外側部分，在該外側部分上具有陽極處理的涂層。

2.如權利要求1所述的氣體分配噴頭，其中該外側部分更包括：

凸緣部分，該凸緣部分具有適以在處理過程中面對基座的第一表面、與該第一表面相對的第二表面、及用于連接該第一表面與該第二表面的邊緣表面，并且，其中：

該陽極處理的涂層被置于該噴頭主體的凸緣部分上；

該陽極處理的涂層覆蓋該邊緣表面的至少一部分；

該陽極處理的涂層自第一位置處延伸，該第一位置與該噴頭主體的中心相隔第一距離；

該陽極處理的涂層自第二位置處延伸，該第二位置與該噴頭主體的中心相隔第二距離，該第二距離大于該第一距離；及

該陽極處理的涂層自該第一位置與該第二位置兩者處延伸，以致該陽極處理的涂層覆蓋該邊緣表面的至少一部分。

3.如權利要求1所述的氣體分配噴頭，其中該噴頭主體包括鋁，其中，該陽極處理的涂層包括選自下列所構成的群組的材料：Al₂O₃、SiO₂、聚四氟乙烯與前述材料的組合，并且，其中，該陽極處理的涂層的厚度在約50微米與約63微米之間。

4.如權利要求1所述的氣體分配噴頭，其中該陽極處理的涂層包括選自下列所構成的群組的材料：Al₂O₃、SiO₂、聚四氟乙烯與前述材料的組合，并且，其中，該陽極處理的涂層的厚度在約50微米與約63微米之間。

5.如權利要求1所述的氣體分配噴頭，其中該中心部分上不存在該陽極處理的涂層。

6.一種等離子體處理設備，包括：

處理腔室主體，該處理腔室主體具有數個壁與一個底面；

基座，該基座被置于該處理腔室主體中，且該基座可移動于第一位置與第二位置之間；

一或多個帶，該一或多個帶耦接至該基座并耦接至該底面或壁中的一或多個；

噴頭，該噴頭被置于該處理腔室主體中并與該基座相對，且該噴頭具有一或多個延伸穿過該噴頭的氣體通道，該噴頭包括：

陽極處理的涂層，該陽極處理的涂層被置于該噴頭鄰近所述壁的那些部分上；及

遮蔽框架，該遮蔽框架被置于該處理腔室主體中且在該基座與該噴頭之間，該遮蔽框架可移動于第三位置與第四位置之間，該第三位置與該基座有所間隔，而該第四位置接觸該基座。

7.如權利要求6所述的設備，其中該遮蔽框架包括Al₂O₃。

8.如權利要求6所述的設備，其中該陽極處理的涂層包括選自下列所構成的群組的材料：Al₂O₃、SiO₂、聚四氟乙烯以及前述材料的組合，并且，其中，該噴頭包括鋁。

9.如權利要求6所述的設備，其中該陽極處理的涂層的厚度在約50微米與約63微米之間。

10.如權利要求6所述的設備，其中所述帶是對稱地沿著第一軸配置且不對稱地沿著第二軸配置，該第二軸垂直于該第一軸。

11.一種等離子體增強化學氣相沉積設備，包括：

腔室主體，該腔室主體具有多個壁與一個腔室底面；

基座，該基座被置于該腔室主體中且可移動于第一位置與第二位置之間，該第一位置與該腔室底面相隔第一距離，而該第二位置與該腔室底面相隔第二距離，該第二距離大于該第一距離；

多個帶，該多個帶耦接至該基座并耦接至該腔室底面與多個壁中的一或多個，所述多個帶是沿著該基座非均勻地分布的；及

氣體分配噴頭，該氣體分配噴頭被置于該腔室主體中且與該基座相對，該氣體分配噴頭具有多個延伸穿過該氣體分配噴頭的氣體通道，且該氣體分配噴頭具有中心部分與邊緣部分，該氣體分配噴頭包括：

陽極處理的涂層，該陽極處理的涂層被置于該噴頭上且延伸于該氣體分配噴頭的表面上，該陽極處理的涂層在該邊緣部分上的厚度大于該陽極處理的涂層在該中心部分上的厚度。