[發明專利]電容器切換電路

有效

• 申請號: 201080025959.0
• 申請日: 2010-06-09
• 公開（公告）號: CN102460955A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 拉賈戈帕蘭·蘭加拉詹;欽瑪雅·米什拉
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H03B5/12
• 分類號: H03B5/12
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種電容切換元件，其包含：

第一電容器；

第二電容器；

第一晶體管，其包含第一柵極、第一源極及第一漏極；

第二晶體管，其包含第二柵極、第二源極及第二漏極，其中所述第一晶體管與所述第二晶體管串聯耦合在所述第一電容器與所述第二電容器之間；

第一電阻器，其將所述第一柵極連接到第一控制信號；

第二電阻器，其將所述第二柵極連接到所述第一控制信號；

第三電阻器，其將所述第二漏極連接到第二控制信號；

第四電阻器，其將所述第一源極連接到所述第二控制信號；及

第五電阻器，其將所述第二源極及所述第一漏極連接到所述第二控制信號；

其中所述第二控制信號為所述第一控制信號的經電平移位的互補信號。

2.根據權利要求1所述的電容切換元件，其中：

所述電容切換元件經配置以依靠經配置以遞送供電電壓電位(V_DD)及接地電位的電源來操作；

所述第一控制信號在大體所述V_DD與大體所述V_DD的一半之間切換；

所述第二控制信號在大體所述接地電位與大體所述V_DD之間切換。

3.根據權利要求2所述的電容切換元件，其中所述第一晶體管為薄氧化物晶體管，且所述第二晶體管為薄氧化物晶體管。

4.根據權利要求2所述的電容切換元件，其進一步包含經配置以接收位控制信號且響應于所述位控制信號而產生所述第一控制信號及所述第二控制信號的電平移位電路。

5.根據權利要求4所述的電容切換元件，其中所述電平移位電路包含串聯耦合的第一反相器及第二反相器。

6.根據權利要求2所述的電容切換元件，其進一步包含用于接收位控制信號且基于所述位控制信號產生所述第一控制信號及所述第二控制信號的裝置。

7.一種振蕩器調諧塊，其包含根據權利要求2所述的電容切換元件。

8.一種振蕩器，其包含負跨導塊、電感器及根據權利要求7所述的調諧塊。

9.一種收發器，其包含接收器及發射器，其中所述接收器及所述發射器中的至少一者包含根據權利要求8所述的振蕩器。

10.一種接入終端，其包含根據權利要求9所述的收發器。

11.一種電容切換元件，其包含：

第一電容器；

第二電容器；

第一晶體管，其包含第一柵極、第一源極及第一漏極；

第二晶體管，其包含第二柵極、第二源極及第二漏極；

第三晶體管，其包含第三柵極、第三源極及第三柵極，其中所述第一晶體管、所述第二晶體管及所述第三晶體管串聯耦合在所述第一電容器與所述第二電容器之間；

第一電阻器，其將所述第一柵極連接到第一控制信號；

第二電阻器，其將所述第二柵極連接到所述第一控制信號；

第三電阻器，其將所述第三柵極連接到所述第一控制信號；

第四電阻器，其將所述第三漏極連接到第二控制信號；

第五電阻器，其將所述第三源極及所述第二漏極連接到所述第二控制信號；

第六電阻器，其將所述第二源極及所述第一漏極連接到所述第二控制信號；及

第七電阻器，其將所述第一源極連接到所述第二控制信號；

其中：

所述電容切換元件經配置以依靠經配置以遞送供電電壓電位(V_DD)及接地電位的電源來操作；

所述第一控制信號被上拉到大體所述V_DD；且

所述第二控制信號在以下兩者間切換：(1)大體所述接地電位，以將所述第一電容器連接到所述第二電容器，及(2)大體一又二分之一倍所述V_DD電位，以使所述第一電容器從所述第二電容器斷開。

12.根據權利要求11所述的電容切換元件，其中所述第一晶體管為薄氧化物晶體管，所述第二晶體管為薄氧化物晶體管且所述第三晶體管為薄氧化物晶體管。