[發明專利]制造碳化硅襯底的方法

無效

• 申請號: 201080025658.8
• 申請日: 2010-09-28
• 公開（公告）號: CN102471928A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: 西口太郎;佐佐木信;原田真;沖田恭子;井上博揮;并川靖生
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36;C30B33/06;H01L21/203
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 韓峰;孫志湧

1.一種制造碳化硅襯底的方法，包括以下各步驟：

準備至少一個單晶襯底(11)，每個單晶襯底具有背面(B1)且由碳化硅制成；

準備具有主面(FO)且由碳化硅制成的支撐部(30c)，所述支撐部的所述主面的至少一部分具有凹凸起伏；

堆疊所述支撐部和所述至少一個單晶襯底，使得每個所述至少一個單晶襯底的所述背面和具有所述凹凸起伏的所述支撐部的所述主面形成為彼此接觸；以及

為使得每個所述至少一個單晶襯底的所述背面連接至所述支撐部，加熱所述支撐部和所述至少一個單晶襯底，以使得所述支撐部的溫度超過碳化硅的升華溫度，并且每個所述至少一個單晶襯底的溫度低于所述支撐部的溫度。

2.根據權利要求1所述的制造碳化硅襯底的方法，其中，

所述的準備支撐部的步驟包括形成所述主面的步驟以及在所述主面上形成所述凹凸起伏的步驟。

3.根據權利要求2所述的制造碳化硅襯底的方法，其中，

所述的形成所述凹凸起伏的步驟包括研磨所述主面以便使所述主面粗糙的步驟。

4.根據權利要求3所述的制造碳化硅襯底的方法，其中，

所述的研磨所述主面的步驟包括沿一個線性方向研磨所述主面的步驟。

5.根據權利要求2所述的制造碳化硅襯底的方法，其中，

所述的形成所述凹凸起伏的步驟包括向所述主面施加預定表面特征的步驟。

6.根據權利要求5所述的制造碳化硅襯底的方法，其中，

所述表面特征包括在所述主面上沿著第一方向延伸的多個凹進部。

7.根據權利要求6所述的制造碳化硅襯底的方法，其中，

所述表面特征包括在所述主面上沿著與所述第一方向交叉的第二方向延伸的凹進部。

8.根據權利要求5所述的制造碳化硅襯底的方法，其中，

所述表面特征包括在所述主面上以圓周方向延伸的凹進部。

9.根據權利要求1所述的制造碳化硅襯底的方法，其中，

在所述的準備支撐部的步驟中，在所述主面上形成具有晶體結構畸變的表面層，

在所述的堆疊所述支撐部和至少一個單晶襯底的步驟之前，進一步包括化學去除所述表面層的至少一部分的步驟。

10.根據權利要求1所述的制造碳化硅襯底的方法，其中，

所述至少一個單晶襯底具有六方晶系結構，并且相對于{0001}面具有大于或等于50°且小于或等于65°的偏離角。

11.根據權利要求1所述的制造碳化硅襯底的方法，其中，

所述凹凸起伏具有隨機方向。

12.根據權利要求1所述的制造碳化硅襯底的方法，其中，

所述的準備支撐部的步驟包括通過切片形成所述主面的步驟，所述凹凸起伏通過所述切片來形成。

13.根據權利要求1所述的制造碳化硅襯底的方法，其中，

通過切片來形成每個所述至少一個單晶襯底的所述背面。

14.根據權利要求1所述的制造碳化硅襯底的方法，其中，

在具有高于10^-1Pa且低于10⁴Pa的壓力的氣氛中進行所述的加熱步驟。