[發明專利]輥到輥化學氣相淀積系統

無效

• 申請號: 201080024863.2
• 申請日: 2010-06-03
• 公開（公告）號: CN102460648A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: E·A·阿莫爾;W·E·奎恩;P·斯費爾拉佐
• 申請（專利權）人: 維易科精密儀器國際貿易(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;C23C16/54
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 王初

1.一種輥到輥CVD系統，包括：

a.至少兩個輥，它們在CVD處理期間運送幅帶；

b.淀積腔室，其限定一通道，所述幅帶在由所述至少兩個輥運送的同時通過該通道，所述淀積腔室包括多個處理腔室，這些處理腔室由屏障隔離，這些屏障保持在所述多個處理腔室中的每一個腔室中的分立的工藝化學性質，所述多個處理腔室中的每一個腔室包括氣體輸入端口和氣體排出端口；以及

c.至少一個CVD氣體源，它聯接到所述多個處理腔室中的每一個腔室的所述氣體輸入端口上。

2.根據權利要求1所述的輥到輥CVD系統，其中，所述至少兩個輥僅沿著一個方向將所述幅帶運送通過所述多個處理腔室。

3.根據權利要求1所述的輥到輥CVD系統，其中，所述至少兩個輥沿著第一方向將所述幅帶運送穿過所述多個處理腔室，然后沿著第二方向穿過所述多個處理腔室運送返回，所述第二方向與所述第一方向相反。

4.根據權利要求1所述的輥到輥CVD系統，其中，所述至少兩個輥連續地運送所述幅帶。

5.根據權利要求1所述的輥到輥CVD系統，其中，所述至少兩個輥以多個離散步驟運送所述幅帶。

6.根據權利要求1所述的輥到輥CVD系統，其中，所述多個處理腔室中的至少一些腔室的氣體輸入端口包括氣體分配噴嘴，該氣體分配噴嘴基本防止CVD氣體反應，直到至少兩種CVD氣體到達所述幅帶。

7.根據權利要求1所述的輥到輥CVD系統，其中，所述氣體輸入端口的至少一些輸入端口定位在所述處理腔室的上表面中，并且相應的排出端口定位在所述處理腔室的至少一側附近。

8.根據權利要求1所述的輥到輥CVD系統，其中，所述處理腔室中的至少一些腔室構造有在所述處理腔室一側附近的氣體輸入端口、和定位在所述處理腔室另一側附近的相應的排出端口，從而CVD工藝氣體流動跨過所述處理腔室。

9.根據權利要求1所述的輥到輥CVD系統，其中，所述至少一個CVD氣體源在相交替的處理腔室的相對兩側處進行噴射，以便改進淀積厚度均勻性。

10.根據權利要求1所述的輥到輥CVD系統，其中，所述屏障中的至少一些屏障包括氣體簾幕。

11.根據權利要求1所述的輥到輥CVD系統，其中，所述屏障中的至少一些屏障包括在相鄰處理腔室之間的真空區。

12.根據權利要求1所述的輥到輥CVD系統，還包括定位在所述幅帶附近的輻射加熱器，該輻射加熱器將所述幅帶加熱到所需的工藝溫度。

13.根據權利要求1所述的輥到輥CVD系統，其中，所述幅帶定位成與加熱元件導熱地接觸，該加熱元件將所述幅帶加熱到所需的工藝溫度。

14.根據權利要求1所述的輥到輥CVD系統，其中，RF線圈定位成與幅帶電磁連通，從而升高在RF線圈附近的所述幅帶的溫度。

15.根據權利要求1所述的輥到輥CVD系統，還包括電源，該電源電氣連接到所述幅帶上，所述電源將電流提供給所述幅帶，以控制所述幅帶的溫度。

16.根據權利要求1所述的輥到輥CVD系統，其中，所述幅帶包括多個氣墊，用以在所述幅帶上方支承晶片。

17.根據權利要求1所述的輥到輥CVD系統，還包括能夠由用戶構造的氣體分配歧管，該能夠由用戶構造的氣體分配歧管聯接在所述多個CVD氣體源與所述多個處理腔室中的至少一些腔室的氣體輸入端口之間。

18.一種輥到輥CVD系統，包括：

a.用來將幅帶運送通過多個處理腔室的裝置；

b.用來隔離在所述多個處理腔室中的至少一些腔室中的工藝化學性質的裝置；以及

c.用來將多種CVD氣體提供給所述多個處理腔室、以便在所述多個處理腔室中的每一個腔室中通過化學氣相淀積將所需的膜淀積在幅帶上的裝置。

19.根據權利要求18所述的輥到輥CVD系統，其中，所述幅帶包括用來支承晶片以便進行化學氣相淀積的裝置。