[發(fā)明專利]連續(xù)進給化學氣相淀積系統(tǒng)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080024861.3
• 申請日: 2010-06-03
• 公開（公告）號: CN102460647A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: E·A·阿莫爾;W·E·奎恩;P·斯費爾拉佐
• 申請（專利權(quán)）人: 維易科精密儀器國際貿(mào)易(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 11038
• 代理人: 王初

1.一種連續(xù)進給CVD系統(tǒng)，包括：

a.晶片運送機構(gòu)，它在CVD處理期間運送晶片；

b.淀積腔室，其限定一通道，所述晶片在由所述晶片運送機構(gòu)運送的同時通過該通道，所述淀積腔室包括多個處理腔室，這些處理腔室由屏障隔離，這些屏障保持在所述多個處理腔室中的每一個腔室中的分立的工藝化學性質(zhì)，所述多個處理腔室中的每一個腔室包括氣體輸入端口和氣體排出端口；以及

c.至少一個CVD氣體源，它聯(lián)接到所述多個處理腔室中的每一個腔室的所述氣體輸入端口上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)進給CVD系統(tǒng)，其中，所述晶片運送機構(gòu)僅沿著一個方向?qū)⑺鼍\送通過所述多個處理腔室。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)進給CVD系統(tǒng)，其中，所述晶片運送機構(gòu)沿著第一方向?qū)⑺鼍\送穿過所述多個處理腔室，然后沿著第二方向穿過所述多個處理腔室運送返回，所述第二方向與所述第一方向相反。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)進給CVD系統(tǒng)，其中，所述晶片運送機構(gòu)連續(xù)地運送所述晶片。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)進給CVD系統(tǒng)，其中，所述晶片運送機構(gòu)以多個離散步驟運送所述晶片。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)進給CVD系統(tǒng)，其中，所述多個處理腔室中的至少一些腔室的氣體輸入端口包括氣體分配噴嘴，該氣體分配噴嘴基本防止CVD氣體反應，直到至少兩種CVD氣體到達所述晶片。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)進給CVD系統(tǒng)，其中，所述氣體輸入端口的至少一些輸入端口定位在所述處理腔室的上表面中，并且相應的排出端口定位在所述處理腔室的至少一側(cè)附近。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)進給CVD系統(tǒng)，其中，所述處理腔室中的至少一些腔室構(gòu)造有在所述處理腔室一側(cè)附近的氣體輸入端口、和定位在所述處理腔室另一側(cè)附近的相應的排出端口，從而CVD工藝氣體流動跨過所述處理腔室。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)進給CVD系統(tǒng)，其中，所述至少一種CVD氣體源在相交替的處理腔室的相對兩側(cè)處進行噴射，以便改進淀積厚度均勻性。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)進給CVD系統(tǒng)，其中，所述屏障中的至少一些屏障包括氣體簾幕。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)進給CVD系統(tǒng)，其中，所述屏障中的至少一些屏障包括在相鄰處理腔室之間的真空區(qū)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)進給CVD系統(tǒng)，還包括定位在所述晶片附近的輻射加熱器，該輻射加熱器將所述晶片加熱到所需的工藝溫度。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)進給CVD系統(tǒng)，其中，所述晶片定位成與加熱元件導熱地接觸，該加熱元件將所述晶片加熱到所需的工藝溫度。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)進給CVD系統(tǒng)，其中，RF線圈定位成與晶片電磁連通，從而升高在RF線圈附近的所述晶片的溫度。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)進給CVD系統(tǒng)，其中，所述晶片運送機構(gòu)包括多個氣墊，這些氣墊支承所述晶片。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)進給CVD系統(tǒng)，還包括能夠由用戶構(gòu)造的氣體分配歧管，該能夠由用戶構(gòu)造的氣體分配歧管聯(lián)接在所述多個CVD氣體源與所述多個處理腔室中的至少一些腔室的氣體輸入端口之間。

17.一種連續(xù)進給CVD系統(tǒng)，包括：

a.用來將晶片運送通過多個處理腔室的裝置；

b.用來隔離在所述多個處理腔室中的至少一些腔室中的工藝化學性質(zhì)的裝置；以及

c.用來將多種CVD氣體提供給所述多個處理腔室、以便在所述多個處理腔室中的每一個腔室中通過化學氣相淀積將所需的膜淀積在晶片上的裝置。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的連續(xù)進給CVD系統(tǒng)，其中，所述晶片運送機構(gòu)包括用來支承晶片以便進行化學氣相淀積的裝置。

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的連續(xù)進給CVD系統(tǒng)，還包括針對具體CVD過程而構(gòu)造所述多個處理腔室中的每一個腔室的尺寸的裝置。