[發明專利]光電子半導體本體或光電子半導體芯片的能用于高電流的接觸

有效

• 申請號: 201080024801.1
• 申請日: 2010-05-21
• 公開（公告）號: CN102460742A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 馬庫斯·毛特;卡爾·恩格爾
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張春水;田軍鋒

1.光電子半導體本體(1)具有

-前側(120)，其設置用于發射和/或接收電磁輻射，

-與所述前側(120)對置的后側(110)，其設置用于施加到支承板(7)上，和

-有源半導體層序列(2)，其在從所述后側(110)到前側(120)的方向上按如下順序具有：第一導電類型層(21)、有源層(22)和第二導電類型層(23)，

其中

-所述半導體層序列(2)具有至少一個凹處(4)，所述凹處從所述后側(110)出發伸展到所述半導體層序列(2)中；

-所述凹處(4)具有第一區段(41)，所述區段穿過所述第一導電類型層(21)和所述有源層(22)延伸到所述第二導電類型層(23)中并且在所述第二導電類型層(23)中具有底面(411)；

-所述凹處(4)具有帶有開口(420)的第二區段(42)，其中所述開口(420)以俯視所述后側(110)來看被所述第一區段(41)的所述底面(411)的外輪廓完全地圍繞并且所述第二區段(42)從所述開口(420)出發朝著前側(120)延伸并且至少在所述第二導電類型層(23)中延伸。

2.根據權利要求1所述的光電子半導體本體(1)，其中所述第二區段(42)的所述開口(420)包含于所述第一區段(41)的所述底面(411)中并且所述第二區段(42)完全地在所述第二導電類型層(23)內延伸。

3.根據權利要求1所述的光電子半導體本體(1)，其中所述第一區段(41)構建為溝槽，所述溝槽圍繞著所述第二區段(42)的所述開口(420)延伸，并且，所述第二區段(42)穿過所述第一導電類型層(21)和所述有源層(22)延伸到所述第二導電類型層(23)中。

4.根據上述權利要求之一所述的光電子半導體本體(1)，其中所述第一區段(41)的側面(412，412A，412B，412C，412D)傾斜于所述半導體層序列(2)的主伸展平面延伸。

5.根據上述權利要求之一所述的光電子半導體本體(1)，其中所述第二區段(42)至少部分地用金屬層(6A，6B)填充。

6.根據上述權利要求之一所述的光電子半導體本體(1)，其中所述第一區段(41)的表面至少局部地涂層有電絕緣層(5)并且所述第二區段(42)的表面沒有電絕緣層。

7.根據上述權利要求之一所述的光電子半導體本體(1)，其中所述第一區段(41)的所述底面(411)的完全環繞所述第二區段(42)的所述開口(420)的區域具有大于或等于1μm的最小橫向延展。

8.光電子半導體芯片(1)，包括支承板(7)和根據上述權利要求之一所述的光電子半導體本體(1)，所述光電子半導體本體的后側(110)朝向所述支承板(7)并且借助于焊接金屬(8)固定在所述支承板上，其中所述焊接金屬(8)至少填入所述凹處(4)的所述第一區段(41)。

9.光電子半導體芯片，包括支承板(7)和光電子半導體本體(1)，所述光電子半導體本體具有

-前側(120)，其設置用于發射和/或接收電磁輻射，

-與所述前側(120)對置的后側(110)，所述后側朝向所述支承板(7)并且借助焊接金屬(8)固定在所述支承板上，和

-有源半導體層序列(2)，其在從所述后側(110)到前側(120)的方向中按如下順序具有：第一導電類型層(21)、有源層(22)和第二導電類型層(23)，并且具有至少一個凹處(4)，所述凹處從所述后側(110)出發伸展到所述半導體層序列(2)中并且穿過所述第一導電類型層(21)和所述有源層(22)延伸到所述第二導電類型層(23)中，

其中從所述凹處的前側的底面(401)出發的所述凹處(4)容積的至少三分之一填充有由不同于所述焊接金屬(8)的材料組成的金屬層(6A，6B)。

10.根據權利要求9所述的光電子半導體芯片，其中所述金屬層(6A，6B)從俯視所述后側(110)來看遮蓋所述前側的底面(401)的部分區域，并且，用所述焊接金屬(8)填充所述凹處(4)的環繞所述金屬層(6A，6B)的區域。