[發(fā)明專利]表面改性的氧化鋯納米晶粒及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201080024077.2 | 申請日： | 2010-06-14 |
| 公開（公告）號： | CN102448888A | 公開（公告）日： | 2012-05-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 德光秀造 | 申請（專利權(quán)）人： | HOYA株式會社 |
| 主分類號： | C01G25/02 | 分類號： | C01G25/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314 | 代理人： | 程偉 |
| 地址： | 日本東京都新*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 表面 改性 氧化鋯 納米 晶粒 及其 制造 方法 | ||
1.一種表面改性的氧化鋯納米晶粒，
其特征在于，通過有機磺酰氧基使所述氧化鋯納米顆粒的表面改性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面改性的氧化鋯納米晶粒，
其特征在于，所述的有機磺酰氧基為可具有取代基的烷基磺酰氧基。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面改性的氧化鋯納米晶粒，
其中所述的有機磺酰氧基為可在芳香環(huán)上具有取代基的芳基磺酰氧基。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的表面改性的氧化鋯納米晶粒，
其中所述的芳基磺酰氧基為對甲苯磺酰氧基。
5.一種制造其表面通過弱酸殘基改性的氧化鋯納米晶粒的方法，
其中通過使用由比磺酸更弱的酸和強堿組成的鹽，使根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的表面改性的氧化鋯納米晶粒中的表面改性劑從有機磺酰氧基被所述弱酸殘基取代。
6.一種制造其表面通過羰酰氧基改性的氧化鋯納米晶粒的方法，
其特征在于，根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的表面改性的氧化鋯納米晶粒中的表面改性劑被羰酰氧基取代。
7.一種制造其表面通過有機磷酰基改性的氧化鋯納米晶粒的方法，
其特征在于，根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的表面改性的氧化鋯納米晶粒中的表面改性劑被有機磷酰氧基取代。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造表面改性的氧化鋯納米晶粒的方法，
其中通過使用有機膦酸或有機次膦酸，使表面改性的氧化鋯納米晶粒中的表面改性劑被有機磷酰氧基取代。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造表面改性的氧化鋯納米晶粒的方法，
其中通過使用磷酸酯，使表面改性的氧化鋯納米晶粒中的表面改性劑被有機磷酰氧基取代。
10.一種制造其表面通過芳氧基改性的氧化鋯納米晶粒的方法，
其特征在于，其中根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的表面改性的氧化鋯納米晶粒中的表面改性劑被芳氧基取代。
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