[發明專利]犧牲波導測試結構有效
| 申請號: | 201080023998.7 | 申請日: | 2010-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN102449456A | 公開(公告)日: | 2012-05-09 |
| 發明(設計)人: | N.D.懷特布里德;L.N.朗利;A.C.卡特 | 申請(專利權)人: | 奧蘭若技術有限公司 |
| 主分類號: | G01M11/00 | 分類號: | G01M11/00;H01S5/02 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 馬麗娜;蔣駿 |
| 地址: | 英國北*** | 國省代碼: | 英國;GB |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 犧牲 波導 測試 結構 | ||
1.一種晶片,從所述晶片分開多個光學芯片,每個光學芯片被配置成執行相應的光學功能,所述晶片包括:
所述多個光學芯片當中的第一光學芯片;以及
犧牲測試結構,用于測試所述第一光學芯片或所述晶片上的鄰接光學芯片的光學功能,所述犧牲測試結構布置在所述晶片上,使得在從所述晶片分開所述第一光學芯片時,所述犧牲測試結構的至少一部分與所述第一光學芯片分離。
2.根據權利要求1所述的晶片,其中,所述犧牲測試結構的所述至少一部分布置在所述晶片上的所述多個光學芯片當中的第二光學芯片上。
3.根據權利要求2所述的晶片,其中,所述第二光學芯片與所述第一光學芯片相鄰。
4.根據權利要求2和3中任一項所述的晶片,其中,所述第二光學芯片與所述第一光學芯片橫向偏移。
5.根據權利要求2-4中任一項所述的晶片,其中,所述犧牲測試結構的至少另一部分布置在所述晶片上的所述多個光學芯片當中的第三光學芯片上。
6.根據權利要求5所述的晶片,其中,所述第三光學芯片與所述第一光學芯片相鄰。
7.根據權利要求5和6中任一項所述的晶片,其中,所述第三光學芯片與所述第一光學芯片橫向偏移。
8.根據權利要求2-4中任一項所述的晶片,其中,所述犧牲測試結構的至少另一部分布置在所述晶片的可廢棄部分上。
9.根據權利要求1所述的晶片,其中,所述犧牲測試結構的所述至少一部分布置在所述晶片的可廢棄部分上。
10.根據權利要求1-9中任一項所述的晶片,其中,所述犧牲測試結構包括一個或多個波導的至少一部分。
11.根據權利要求1-10中任一項所述的晶片,其中,所述犧牲測試結構包括至少一個光源。
12.根據權利要求11所述的晶片,其中,所述光源是激光器或波導光柵中的至少一個。
13.根據權利要求1-12中任一項所述的晶片,其中,所述犧牲測試結構包括至少一個接收器。
14.根據權利要求13所述的晶片,其中,所述接收器是光電二極管、光學功率監視器或波長監視器中的至少一個。
15.一種從晶片分出的光學芯片,其中從所述晶片分出多個光學芯片,所述光學芯片被配置成執行光學功能并且包括:
用于執行所述光學功能的電路;以及
犧牲測試結構的至少一部分,所述犧牲測試結構用于測試在從所述晶片分出所述光學芯片之前,所述光學芯片或鄰接光學芯片的所述電路的光學功能。
16.根據權利要求15所述的光學芯片,其中,所述犧牲測試結構包括光源、接收器或波導的分離部分中的至少一個。
17.一種用于測試和處理晶片上的多個光學芯片當中的第一光學芯片的方法,每個光學芯片被配置成執行相應的光學功能,所述方法包括:
接觸犧牲測試結構,所述犧牲測試結構用于測試所述晶片上的所述第一光學芯片或鄰接光學芯片的特性,所述犧牲測試結構布置在所述晶片上;
控制和監視所述犧牲測試結構;以及
從所述晶片分開所述第一光學芯片,使得在從所述晶片分開所述第一光學芯片時,所述犧牲測試結構的至少一部分與所述第一光學芯片分離。
18.根據權利要求17所述的晶片,其中,所述犧牲測試結構的所述至少一部分布置在所述晶片上的所述多個光學芯片當中的第二光學芯片或所述晶片的可廢棄部分中的至少一個上。
19.根據權利要求17-18中任一項所述的晶片,其中,所述犧牲測試結構包括一個或多個波導的至少一部分。
20.根據權利要求17-19中任一項所述的方法,其中,所述犧牲測試結構包括至少一個光源和至少一個接收器。
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