[發明專利]制造碳化硅襯底的方法、碳化硅襯底和半導體器件

無效

• 申請號: 201080023785.4
• 申請日: 2010-09-29
• 公開（公告）號: CN102449733A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 西口太郎;佐佐木信;原田真;藤原伸介;并川靖生;增田健良
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 韓峰;孫志湧

1.一種用于制造碳化硅襯底(1)的方法，包括以下步驟：

準備由碳化硅制成的基底襯底(10)和由單晶碳化硅制成的SiC襯底(20)；以及

通過在所述基底襯底(10)和所述SiC襯底(20)之間形成中間層(40，50，80)，使所述基底襯底(10)和所述SiC襯底(20)彼此連接，所述中間層(40，50，80)由導體或半導體形成。

2.根據權利要求1所述的用于制造碳化硅襯底(1)的方法，其中，

在所述的使所述基底襯底(10)和所述SiC襯底(20)彼此連接的步驟中形成的所述中間層(40，80)含有碳。

3.根據權利要求1所述的用于制造碳化硅襯底(1)的方法，其中，所述的使所述基底襯底(10)和所述SiC襯底(20)彼此連接的步驟包括以下步驟：

在所述基底襯底(10)的主表面上形成前驅體層(30，51，90)并且使所述前驅體層(30，51，90)與所述基底襯底(10)的所述主表面接觸，所述前驅體層(30，51，90)在被加熱時可形成為所述中間層(40，50，80)，

通過將所述SiC襯底(20)放置在所述前驅體層(30，51，90)上并且使所述SiC襯底(20)與所述前驅體層(30，51，90)接觸，來制造堆疊襯底，以及

通過加熱所述堆疊襯底以使所述前驅體層(30，51，90)形成為所述中間層(40，50，80)，來實現所述基底襯底(10)和所述SiC襯底(20)之間的連接。

4.根據權利要求3所述的用于制造碳化硅襯底(1)的方法，其中，

在所述的形成所述前驅體層(90)的步驟中，在所述基底襯底(10)的主表面之上涂布碳粘合劑作為前驅體。

5.根據權利要求1所述的用于制造碳化硅襯底(1)的方法，其中，

在所述的使所述基底襯底(10)和所述SiC襯底(20)彼此連接的步驟中，當以平面視角觀察時，在所述中間層(80)上并排布置多個所述SiC襯底(20)。

6.根據權利要求1所述的用于制造碳化硅襯底(1)的方法，其中，

在所述的使所述基底襯底(10)和所述SiC襯底(20)彼此連接的步驟中，所述SiC襯底(20)具有主表面(20A)，所述主表面(20A)相對于所述基底襯底(10)相反并且具有相對于{0001}面的不小于50°且不大于65°的偏離角。

7.根據權利要求1所述的用于制造碳化硅襯底(1)的方法，其中，

在進行所述的使所述基底襯底(10)和所述SiC襯底(20)彼此連接的步驟之前不對所述基底襯底(10)和所述SiC襯底(20)的主表面進行拋光的情況下，來執行使所述基底襯底(10)和所述SiC襯底(20)彼此連接的步驟，其中所述基底襯底(10)和所述SiC襯底(20)的所述主表面將在所述的使所述基底襯底(10)和所述SiC襯底(20)彼此連接的步驟中被設置成彼此面對面。

8.一種碳化硅襯底(1)，包括：

基底層(10)，所述基底層(10)由碳化硅制成；

中間層(40，50，80)，所述中間層(40，50，80)形成在所述基底層(10)上并且與所述基底層(10)接觸；以及

SiC層(20)，所述SiC層(20)由單晶碳化硅制成，并且所述SiC層(20)被設置在所述中間層(40，50，80)上且與所述中間層(40，50，80)接觸，

所述中間層(40，50，80)由導體或半導體形成并且使所述基底層(10)和所述SiC層(20)彼此連接。

9.根據權利要求8所述的碳化硅襯底(1)，其中，

所述中間層(40，50，80)含有碳。

10.根據權利要求8所述的碳化硅襯底(1)，其中，

當以平面視角觀察時，并排布置多個所述SiC層(20)。

11.根據權利要求8所述的碳化硅襯底(1)，其中：

所述基底層(10)由單晶碳化硅制成，并且

所述基底層(10)的微管沒有傳播到所述SiC層(20)。