[發(fā)明專利]半色調(diào)掩模及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201080023383.4 | 申請日: | 2010-05-26 |
| 公開(公告)號: | CN102449735A | 公開(公告)日: | 2012-05-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金武成 | 申請(專利權(quán))人: | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327 | 代理人: | 許向彤;林錦輝 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 色調(diào) 及其 制造 方法 | ||
1.一種半色調(diào)掩模,包括:基底;透射區(qū),形成在所述基底上以透射預(yù)定波長范圍內(nèi)的輻射光;以及半透過區(qū),形成在所述基底上,具有多個半透過單元,在使用所述預(yù)定波長范圍時這些半透過單元根據(jù)半透過材料的厚度或?qū)盈B的層的數(shù)目具有多個互不相同的的透射率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半色調(diào)掩模,還包括具有阻擋層的阻擋區(qū),該阻擋層形成在至少兩個半透過材料之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半色調(diào)掩模,還包括具有阻擋層的阻擋區(qū),該阻擋層形成在至少兩個半透過材料的上表面或下表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半色調(diào)掩模,其中,所述半透過材料包括Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al、Zr、Sn、Zn、In、Mg、Hf、V、Nd、Ge、MgO-Al2O3或Si3N4之一作為主成分,或用至少兩種或多種所述元素混合成的復(fù)合材料,或者包括在所述單個主成分或所述復(fù)合材料中添加有Cox、Ox、Nx、Cx、Fx和Bx中的至少一種的所述單個主成分或所述復(fù)合材料,其中,下標(biāo)x為自然數(shù),限定了每種化學(xué)元素的數(shù)目。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半色調(diào)掩模,其中,所述半透過區(qū)包括第一半透過部、第二半透過部和第三半透過部,所述第一半透過部在所述基底上用半透過材料形成以使光的透過率多達(dá)X%,所述第二半透過部用更厚的半透過材料形成以使光的透過率多達(dá)Y%,所述第三半透過部層疊有兩層所述半透過材料以使光的透過率多達(dá)Z%。
6.一種半色調(diào)掩模的制造方法,包括:在基底上層疊第一半透過材料、阻擋層和光刻膠;對所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影,以使所述阻擋層的必須區(qū)域露出,并順序去掉露出的阻擋層和所述第一半透過材料;在形成有所述第一半透過材料和所述阻擋層的所述基底上層疊光刻膠之后,對所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影,并去掉所述露出的阻擋層,以便露出所述阻擋層的必須區(qū)域;在去掉露出的阻擋層之后,順序?qū)盈B第二半透過材料和光刻膠,以形成阻擋區(qū),該阻擋區(qū)由形成在所述第一和第二半透過材料之間阻擋層構(gòu)成;對所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影以便露出所述第二半透過材料的必須區(qū)域,并順序去掉露出的所述第二半透過材料和所述阻擋層;以及形成包括第一半透過部、第二半透過部和第三半透過部的半透過區(qū),所述第一半透過部在所述基底上用所述第一半透過材料形成,所述第二半透過部在所述基底上用所述第二半透過材料形成,所述第三半透過部由所述第一和第二半透過材料層疊形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中,所述第一和第二半透過材料用同一半透過材料形成,所述第一和第二半透過材料具有不同的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中,所述半透過材料為具有Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al、Zr、Sn、Zn、In、Mg、Hf、V、Nd、Ge、MgO-Al2O3或Si3N4之一作為主成分的材料,或為用至少兩種或多種所述元素混合成的復(fù)合材料,或為在所述單個主成分或所述復(fù)合材料中添加有Cox、Ox、Nx、Cx、Fx和Bx中的至少一種的材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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