[發明專利]精確形狀的芯式光纖及其制造方法有效
| 申請號: | 201080023216.X | 申請日: | 2010-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN102576123A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發明(設計)人: | 沃爾夫岡·紐伯格 | 申請(專利權)人: | 拜萊泰克制藥市場有限公司 |
| 主分類號: | G02B6/028 | 分類號: | G02B6/028 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 張穎;樊衛民 |
| 地址: | 馬來西亞沙*** | 國省代碼: | 馬來西亞;MY |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 精確 形狀 光纖 及其 制造 方法 | ||
1.一種包含波導結構的器件,所述波導結構具有被較低折射率區包圍的至少一個高折射率區;其中所述高折射率區具有非圓形、非橢圓形的橫截面幾何構型,所述幾何構型具有精確限定的形狀和精確限定的邊緣;并且其中所述波導結構是光纖。
2.權利要求1的器件,其中所述光纖是由二氧化硅制成的玻璃光纖。
3.權利要求1的器件,其中所述高折射率區具有帶4條邊的橫截面,所述橫截面基本上是矩形,具有兩個邊長D1和D2,其中D1<D2,并且相鄰邊之間的圓的半徑為R;并且
其中較短的邊長D1與邊緣的圓的半徑R具有R/D1≤10%的比率。
4.權利要求3的器件,其中所述比率R/D1≤1%。
5.權利要求3的器件,其中所述高折射率區具有正方形橫截面,所述正方形橫截面邊長D1=D2=D,并且相鄰邊之間的圓的半徑為R;并且
其中邊長D與邊緣的圓的半徑R具有R/D≤10%的比率。
6.權利要求5的器件,其中所述比率R/D≤1%。
7.權利要求1的器件,其中所述高折射率區具有正六邊形橫截面,所述正六邊形橫截面邊長為D,并且相鄰邊之間的圓的半徑為R;并且
其中邊長D與邊緣的圓的半徑R具有R/D≤40%的比率。
8.權利要求7的器件,其中所述比率R/D≤10%。
9.權利要求1的器件,其中所述高折射率區具有正八邊形橫截面,所述正八邊形橫截面邊長為D,并且相鄰邊之間的圓的半徑為R;并且
其中邊長D與邊緣的圓的半徑R具有R/D≤40%的比率。
10.權利要求9的器件,其中所述比率R/D≤10%。
11.一種光學預制件,其包含具有被較低折射率區包圍的至少一個高折射率區的結構;其中所述高折射率區具有非圓形、非橢圓形的橫截面幾何構型,所述幾何構型具有精確限定的形狀和精確限定的邊緣,并從預先選定的精確限定的形狀形成;并且所述預制件可以被拉成權利要求1的波導結構。
12.權利要求11的光學預制件,其非圓形、非橢圓形的橫截面幾何構型是選自正方形、矩形、正六邊形和正八邊形的精確限定的形狀。
13.權利要求1的器件,其中所述低折射區被折射率不同的另一個區域包圍,并且其中所述光纖是激光激活的雙包層光纖;
其中所述非圓形、非橢圓形的高折射率區包圍著具有甚至更高折射率的區域,所述更高折射率的區域基本上是圓形的并摻雜有稀土離子以允許激光作用;并且
其中光輻射被發射到所述非圓形區域中,并用于激發所述稀土離子,其中所述器件起到光纖激光器至光纖放大器的作用。
14.權利要求11中限定的光學預制件的生產方法,其中使用明顯低于非圓形芯材料的熔化溫度的溫度從所述光學預制件拉制權利要求1至10任一項的光纖。
15.權利要求14的預制件的生產方法,其中所述非圓形、非橢圓形的芯材料的粘度高于周圍材料的粘度。
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