[發明專利]由氣相沉積涂覆法制備的憎水材料及其用途

有效

• 申請號: 201080023147.2
• 申請日: 2010-03-17
• 公開（公告）號: CN102448719A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 袁稽康;董和
• 申請（專利權）人: 因諾瓦納諾有限公司
• 主分類號: B32B9/00
• 分類號: B32B9/00;B32B33/00
• 代理公司: 北京北翔知識產權代理有限公司 11285
• 代理人: 吳曉萍;鐘守期

1.一種制備憎水材料的方法，包括：

提供一種天然礦物；

提供一種硅酮基材料；

在密閉空間中加熱所述硅酮基材料以釋放出所述硅酮基材料的蒸氣分子；以及

使所述硅酮基材料的蒸氣分子沉積以在所述天然礦物的表面形成憎水材料層。

2.權利要求1的方法，其中所述硅酮基材料可重新用于后續的天然礦物上的涂覆，且所述硅酮基材料包括回收的硅酮橡膠。

3.權利要求1的方法，其中加熱所述硅酮基材料導致交聯反應。

4.權利要求1的方法，其中加熱所述硅酮基材料導致分裂反應。

5.權利要求1的方法，其中加熱所述硅酮基材料包括加熱至100℃到400℃之間包含端值在內的預設溫度。

6.權利要求1的方法，其中加熱所述硅酮基材料包括加熱至0.5到2大氣壓之間包含端值在內的氣相沉積壓力。

7.權利要求1的方法，其中提供所述天然礦物的過程包括：

將所述天然礦物加熱到760℃到980℃之間包含端值在內的溫度，以使其在熔爐中成為膨脹形態；

將膨脹的天然礦物氣力輸送至旋流分級器；

用收集裝置收集分級的天然礦物；以及

將分級的天然礦物冷卻至100℃到400℃之間包含端值在內的溫度。

8.權利要求1的方法，其中使所述蒸氣分子沉積的過程包括：

物理氣相沉積、化學氣相沉積或等離子體增強氣相沉積中的至少一種。

9.一種憎水材料，包括：

一種天然礦物；以及

一種硅酮基材料，其中所述硅酮基材料通過氣相沉積過程涂覆于所述天然礦物上，從而在所述天然礦物的表面形成憎水材料層。

10.權利要求9的憎水材料，其中所述天然礦物的表面包括內表面和外表面，并且其中所述憎水材料層小于20納米。

11.權利要求9的憎水材料，其中所述天然礦物包括珍珠巖或蛭石中的至少一種。

12.權利要求11的憎水材料，其中所述珍珠巖或蛭石被加熱到膨脹形態。

13.權利要求9的憎水材料，其中所述天然礦物還包含浮石。

14.權利要求9的憎水材料，其中所述天然礦物還包括：

硅藻土、膨潤土或沸石中的至少一種。

15.權利要求9的憎水材料，其中所述天然礦物具有二氧化硅、氧化鋁、硅酸鹽、鋁酸鹽或碳酸鹽中的至少一種的化學組成。

16.權利要求9的憎水材料，其中在氣相沉積過程之前，所述硅酮基材料含有聚合的硅氧烷。

17.權利要求16的憎水材料，其中所述聚合的硅氧烷含有聚二甲基硅氧烷(PDMS)或硫化的網狀PMDS中的至少一種。

18.權利要求9的憎水材料，其中所述天然礦物的粒度在0.01mm到10cm之間，包括端值在內；所述天然礦物的顆粒中的孔徑在1nm到1cm之間，包括端值在內；表面積在0.1m²/g到100m²/g之間，包括端值在內；容積密度在0.02g/cm³到2g/cm³之間，包括端值在內。

19.權利要求9的憎水材料，其中所述天然礦物還包括：

一種無細孔的天然礦物，包括沙子、浮石、陶瓷、粘土或寶石中的至少一種。

20.一種由憎水材料制備的建筑材料，所述憎水材料是通過將硅酮基材料氣相沉積涂覆于天然礦物上而獲得，其中所述建筑材料包括輕量耐火級混凝土、石膏、灰泥、瓦片、低密度焦渣石、隔音石膏板或松散填充的隔熱材料中的至少一種。