[發明專利]預記錄光學記錄介質

無效

• 申請號: 201080022297.1
• 申請日: 2010-05-17
• 公開（公告）號: CN102439663A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 坂本哲洋;中野淳;遠藤武英;大川直樹
• 申請（專利權）人: 索尼公司;索尼信息技術股份有限公司
• 主分類號: G11B7/258
• 分類號: G11B7/258;G11B7/24
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 周少杰

技術領域

本發明涉及一種包括金屬反射膜的只讀光學記錄介質。

背景技術

對于作為光學記錄介質的光盤，尤其是只讀ROM(只讀存儲器)盤，可以通過來自單個壓模的塑料注射成型(injection?molding)，而在短時間中以低成本生產大量的復制基板。因此，將光學記錄介質廣泛地用作封裝介質。

附帶地，為了防止著作權侵害，正在考慮一種添加區分每張盤的標識信息的方法。作為添加標識信息的方法，例如，提出了一種將子數據記錄到金屬反射膜上的方法(例如，參見專利文獻1)。

在專利文獻1的光盤中，將Ag(銀)合金用作該金屬反射膜。

由Ag合金形成的金屬反射膜，不僅可以使用在記錄子數據的專利文獻1的只讀光學記錄介質中，而且可以使用在一般的只讀光學記錄介質中。

然而，由于銀合金作為只讀光學記錄介質的材料有些昂貴，所以成本增加。

就此，正在考慮使用Al(鋁)來代替Ag。

實際上，將Al或Al合金用作一種光學記錄介質中的金屬反射膜，該光學記錄介質使用具有650nm和780nm波長的光來記錄/再現信息(例如，參見專利文獻2)。

專利文獻1：日本專利申請特開第2007-335003號

專利文獻2：日本專利申請特開第2003-317318號

發明內容

本發明要解決的問題

然而，對于構成光學記錄介質的金屬反射膜，使用如現有技術中的光學記錄介質中使用的Al或Al合金導致問題，前一種光學記錄介質使用具有405nm波長的光來記錄/再現信息的，后一種光學記錄介質使用具有650nm和780nm波長的光來記錄/再現信息。

具體地，相對于具有405nm波長的光的反射率隨時間改變而被降低。

而且，當將子數據記錄到金屬反射膜上并且從該金屬反射膜再現時，再現信號輸出由于時間改變而變化。

為了解決上述問題，在本發明中，提供了一種耐久的只讀光學記錄介質，其在由于時間改變而導致的金屬反射膜的特性上具有較小變化。

用于解決問題的手段

根據本發明，提供了一種只讀光學記錄介質，包括：基板；信息記錄表面，通過對在該基板上形成的凹坑(pit)和岸面(land)進行組合來構造，并且在其上記錄信息；以及金屬反射膜，其提供為與該信息記錄表面接觸，并且由Al_100-x-zX_xZ_z表示，其中，x和z每一個表示原子％，X由至少包括Ti的元素構成，Z由至少包括Fe的元素構成，x是1.0到3.0，并且z是0.05到1.0。

利用根據本發明的只讀光學記錄介質的結構，通過Al_100-x-zX_xZ_z表示該金屬反射膜，其中，x和z每一個表示原子％，至少包括Ti的X成分的含量是1.0到3.0，并且至少包括Fe的Z成分的含量是0.05到1.0。

相應地，變得可能抑制由于時間改變而導致的金屬反射膜的特性(例如，相對于具有405nm波長的光的反射率)的變化。

本發明的效果

根據本發明，變得可能抑制由于時間改變而導致的金屬反射膜的特性的變化。

另外，根據本發明，該金屬反射膜可以由便宜的材料形成。

因此，根據本發明，可以以低成本來實現一種耐久的只讀光學記錄介質，該記錄介質在由于時間改變而導致的金屬反射膜的特性上具有較小變化。

附圖說明

圖1是根據本發明第一實施例的只讀光學記錄介質的示意結構圖(剖面圖)。

圖2是Ti-Al基相圖。

圖3是用于說明根據本發明第二實施例、用于只讀光學記錄介質的制造方法的實施例的圖。

圖4是示出根據本發明第二實施例、用于關于只讀光學記錄介質使用的子數據的記錄設備的實施例的結構圖。

圖5是根據本發明第二實施例、用于將子數據記錄到只讀光學記錄介質上的說明圖。

圖6是示出根據本發明第二實施例、用于關于只讀光學記錄介質使用的子數據的再現設備的實施例的結構圖。

圖7是根據本發明第二實施例、用于從只讀光學記錄介質中再現子數據的說明圖。

圖8的A和B是示出根據示例1和2、只讀光學記錄介質的加速測試之前和之后的反射率的改變的圖。

圖9的A和B是示出根據比較示例1和2、只讀光學記錄介質的加速測試之前和之后的反射率的改變的圖。