[發明專利]霍爾效應等離子推進器無效
| 申請號: | 201080021990.7 | 申請日: | 2010-05-19 |
| 公開(公告)號: | CN102439305A | 公開(公告)日: | 2012-05-02 |
| 發明(設計)人: | 塞奇·巴拉爾;史蒂芬J.·澤巴奇 | 申請(專利權)人: | 斯奈克碼;波蘭科學院基礎技術研究所;法國國家太空研究中心;國家科學研究中心 |
| 主分類號: | F03H1/00 | 分類號: | F03H1/00 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫 |
| 地址: | 法國*** | 國省代碼: | 法國;FR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 霍爾 效應 等離子 推進器 | ||
1.一種霍爾效應等離子推進器,具有用于電離和加速的帶有下游開口端(129)的主環形通道(120)、至少一個陰極(140)、與所述主環形通道(120)同軸的環形陽極(125)、用于將電離氣體輸入所述通道(120)的管(126)與集合管和用于在所述主環形通道(120)中產生磁場的磁路(131到136),其特征在于:所述主環形通道(120)具有位于所述開口端(129)臨近區域的內環壁部分(127)和外環壁部分(128),該每個環壁部分均包括以層壓形式形成的、通過絕緣細層(152)隔開的并置的導體或半導體環(150)組合。
2.根據權利要求1所述的等離子推進器,其特征在于:每個導體或半導體環(150)都被再分為角域片段,并且所述片段相互絕緣。
3.根據權利要求2所述的等離子推進器,其特征在于:每個導體或半導體環(150)的片段被設置成相對于相鄰的導體或半導體環的片段為交錯結構。
4.根據權利要求1-3中任一項所述的等離子推進器,其特征在于:所述絕緣細層被設置在導體或半導體環(150)除所述主環形通道(120)內壁一部分的表面(151)以外的所有面上。
5.根據權利要求1-4中任一項所述的等離子推進器,其特征在于:所述導體環(150)組合在所述主環形通道(120)的總長度的20%到50%的范圍內在所述內環壁(127)和外環壁(128)長度上延伸。
6.根據權利要求1-5中任一項所述的等離子推進器,其特征在于:所述導體或半導體環(150)由石墨制成。
7.根據權利要求1-6中任一項所述的等離子推進器,其特征在于:所述絕緣細層(152)是由熱解氮化硼制成。
8.根據權利要求1-7中任一項所述的等離子推進器,其特征在于:所述導體或半導體環(150)的厚度與電子拉莫爾半徑為相同數量級。
9.根據權利要求6所述的等離子推進器,其特征在于:所述導體或半導體環(150)的厚度范圍為0.7mm到0.9mm。
10.根據權利要求4和7所述的等離子推進器,其特征在于:所述絕緣細層(152)的厚度范圍為0.04mm到0.08mm。
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