[發明專利]發光二極管和發光二極管燈以及照明裝置有效
| 申請號： | 201080021864.1 | 申請日： | 2010-05-13 |
| 公開（公告）號： | CN102428580A | 公開（公告）日： | 2012-04-25 |
| 發明（設計）人： | 鍋倉亙;竹內良一 | 申請（專利權）人： | 昭和電工株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/44 | 分類號： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 段承恩;楊光軍 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 以及 照明 裝置 | ||
1.一種發光二極管，包含：具有在組成式中含有Al，發光波長為570nm以上700nm以下的pn接合型的發光部的化合物半導體層；在所述化合物半導體層的主要光取出面設置的歐姆電極；和用于保護所述歐姆電極的電極保護層，其特征在于：
包含所述主要光取出面的所述化合物半導體層的表面的Al濃度在25％以下，
所述電極保護層具有：包含設置為覆蓋歐姆電極的第一保護膜和設置為至少覆蓋所述第一保護膜的端部的第二保護膜的二層構造。
2.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：在所述主要光取出面設置的所述歐姆電極是p型歐姆電極。
3.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述發光部具有包含組成式(AlXGa1-X)YIn1-YP的發光層，其中，0≤X≤1、0≤Y≤1。
4.如權利要求3所述的發光二極管，其特征在于：所述發光部在所述發光層的上表面以及下表面的一方或者兩方具有包層。
5.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述主要光取出面的表面的組成式是(AlXGa1-X)YIn1-YP，其中，0≤X≤0.8、0.48≤Y≤0.52。
6.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：在所述主要光取出面，進一步設置n型歐姆電極，在所述n型歐姆電極上設置所述電極保護層。
7.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述第一保護膜是包含金以及白金的任一方的金屬層或者上述金屬層的層疊構造。
8.如權利要求7所述的發光二極管，其特征在于：所述第一保護膜的表面是金。
9.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述第二保護膜是相對于發光波長透明的氧化膜或者氮化膜。
10.如權利要求9所述的發光二極管，其特征在于：所述第二保護膜是氧化硅(SiO2)。
11.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述第一保護膜的表面是引線接合用的襯墊。
12.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：在所述化合物半導體層的與所述主要光取出面相反一側的面接合有功能性基板，
所述功能性基板的表面的Al濃度為25％以下。
13.如權利要求12所述的發光二極管，其特征在于：所述功能性基板相對于發光波長透明。
14.如權利要求12所述的發光二極管，其特征在于：所述功能性基板的材質是GaP。
15.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：該發光二極管是發光波長為650nm～670nm的用于促進植物培育的光合作用的發光二極管，半導體層以及基板的表面Al濃度為25％以下并且除了歐姆電極的接觸層之外不含有As。
16.一種發光二極管燈，其特征在于：搭載如權利要求1～15中任一項所述的發光二極管。
17.一種照明器具，其特征在于：搭載如權利要求16所述的發光二極管燈。
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