[發明專利]半導體元器件、半導體晶片元器件、半導體元器件的制造方法、及接合結構體的制造方法

有效

• 申請號: 201080021256.0
• 申請日: 2010-07-20
• 公開（公告）號: CN102422403A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發明（設計）人: 北浦秀敏;古澤彰男;酒谷茂昭;中村太一;松尾隆廣
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L21/52
• 分類號: H01L21/52
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張鑫

1.一種半導體元器件，其特征在于，包括：

半導體元件；以及

接合層，該接合層形成于所述半導體元件的一側的面上，包含以Bi為主要成分的接合材料，

在所述接合層的與所述半導體元件相接的面相反一側的面上形成有單個或多個凸部。

2.如權利要求1所述的半導體元器件，其特征在于，

所述凸部的高度為5μm以上30μm以下。

3.一種半導體元器件的制造方法，其特征在于，包括：

接合層形成工序，該接合層形成工序在形成有多個半導體元件的半導體晶片的一側的面上，使用以Bi為主要成分的接合材料來形成接合層；

掩膜配置工序，該掩膜配置工序將掩膜配置在所述接合層之上，所述掩膜在與所述半導體元件的各位置相對應的每個區域形成有單個或多個孔部；

凸部形成工序，該凸部形成工序使用與所述接合材料相同的材料或比所述接合材料的熔融開始溫度要低的材料，來對配置有所述掩膜的所述接合層形成與所述孔部相對應的單個或多個凸部；以及

切斷工序，該切斷工序對在所述接合層上形成有所述凸部的所述半導體晶片進行切斷。

4.如權利要求3所述的半導體元器件的制造方法，其特征在于，

所述孔部的所述掩膜的厚度對應于所述凸部的高度，

所述掩膜的與所述接合層相接的面上的所述孔部的開口部的尺寸比與所述開口部相對的相反一側的開口部的尺寸要大。

5.一種接合結構體的制造方法，

是對權利要求1或權利要求2的半導體元器件和電極進行接合的接合結構體的制造方法，其特征在于，包括：

配置工序，該配置工序配置所述半導體元器件，使得所述接合層的形成有所述凸部的面與所述電極隔開規定的距離而彼此相對；

加熱工序，該加熱工序將所述電極加熱到所述接合材料的熔融開始溫度以上；以及

接合工序，該接合工序通過使所述半導體元器件向所述被加熱的電極側移動，并使所述凸部與所述電極的表面相接觸，從而以所述凸部為起點使所述接合層開始熔融。

6.一種半導體晶片元器件，包括：

半導體晶片，該半導體晶片中形成有多個半導體元件；

接合層，該接合層形成于所述半導體晶片的形成有所述半導體元器件的面上，包含以Bi為主要成分的接合材料；以及

保護片材，該保護片材粘接在所述接合層上，

在所述接合層的所述保護片材側的面的、與所述半導體元件的各位置相對應的每個區域中，形成有單個或多個凸部。