[發(fā)明專利]具有平衡I/Q變壓器的接收器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201080020980.1 | 申請(qǐng)日： | 2010-05-17 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102439847A | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-05-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張立中;毛林·P·巴加特;李函爾;拉維·斯里達(dá)拉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H03D7/14 | 分類號(hào)： | H03D7/14 |
| 代理公司： | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 宋獻(xiàn)濤 |
| 地址： | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 平衡 變壓器 接收器 | ||
1.一種設(shè)備，其包含：
第一電路，其提供單端信號(hào)；及
變壓器，其耦合到所述第一電路且包含
至少一個(gè)初級(jí)線圈，其接收所述單端信號(hào)，
第一次級(jí)線圈，其以磁性方式耦合到所述至少一個(gè)初級(jí)線圈且將第一差分信號(hào)提供到第二電路，及
第二次級(jí)線圈，其以磁性方式耦合到所述至少一個(gè)初級(jí)線圈且將第二差分信號(hào)提供到第三電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述第一電路包含低噪聲放大器LNA，所述LNA放大所接收的射頻RF信號(hào)且將所述單端信號(hào)提供到所述變壓器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，所述至少一個(gè)初級(jí)線圈作為所述LNA的無(wú)源負(fù)載來(lái)操作。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述第二電路包含第一混頻器，所述第一混頻器用同相I本機(jī)振蕩器LO信號(hào)對(duì)所述第一差分信號(hào)進(jìn)行下變頻轉(zhuǎn)換且提供差分I經(jīng)下變頻轉(zhuǎn)換的信號(hào)，且所述第三電路包含第二混頻器，所述第二混頻器用正交Q?LO信號(hào)對(duì)所述第二差分信號(hào)進(jìn)行下變頻轉(zhuǎn)換且提供差分Q經(jīng)下變頻轉(zhuǎn)換的信號(hào)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述至少一個(gè)初級(jí)線圈包含
第一初級(jí)線圈，其以磁性方式耦合到所述第一次級(jí)線圈且接收所述單端信號(hào)，及
第二初級(jí)線圈，其以磁性方式耦合到所述第二次級(jí)線圈且接收所述單端信號(hào)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述至少一個(gè)初級(jí)線圈包含具有接收所述單端信號(hào)的中央分接頭的單一初級(jí)線圈，所述第一次級(jí)線圈以磁性方式耦合到所述初級(jí)線圈的第一半部，且所述第二次級(jí)線圈以磁性方式耦合到所述初級(jí)線圈的第二半部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述至少一個(gè)初級(jí)線圈制造于第一導(dǎo)電層上，且所述第一及第二次級(jí)線圈制造于第二導(dǎo)電層上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述至少一個(gè)初級(jí)線圈以及所述第一及第二次級(jí)線圈制造于單一導(dǎo)電層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，所述第一及第二初級(jí)線圈各自包含第一數(shù)目的匝，且所述第一及第二次級(jí)線圈各自包含比所述第一數(shù)目的匝少的第二數(shù)目的匝。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，所述第一次級(jí)線圈覆蓋所述第一初級(jí)線圈，且所述第二次級(jí)線圈覆蓋所述第二初級(jí)線圈。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，所述第一初級(jí)線圈及所述第一次級(jí)線圈在第一方向上以螺旋圖案形成，且所述第二初級(jí)線圈及所述第二次級(jí)線圈在與所述第一方向相反的第二方向上以螺旋圖案形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包含：
第一可變電抗器，其與所述第一初級(jí)線圈并聯(lián)耦合且形成第一諧振電路；及
第二可變電抗器，其與所述第二初級(jí)線圈并聯(lián)耦合且形成第二諧振電路。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，所述第一及第二可變電抗器在集成電路上制造于所述變壓器下方。
14.一種集成電路，其包含：
低噪聲放大器LNA，其放大所接收的射頻RF信號(hào)且提供單端RF信號(hào)；及
變壓器，其耦合到所述LNA且包含
至少一個(gè)初級(jí)線圈，其接收所述單端RF信號(hào)，
第一次級(jí)線圈，其以磁性方式耦合到所述至少一個(gè)初級(jí)線圈且提供第一差分RF信號(hào)，及
第二次級(jí)線圈，其以磁性方式耦合到所述至少一個(gè)初級(jí)線圈且提供第二差分RF信號(hào)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的集成電路，其進(jìn)一步包含：
第一混頻器，其用同相I本機(jī)振蕩器LO信號(hào)對(duì)所述第一差分RF信號(hào)進(jìn)行下變頻轉(zhuǎn)換且提供差分I經(jīng)下變頻轉(zhuǎn)換的信號(hào)；及
第二混頻器，其用正交Q?LO信號(hào)對(duì)所述第二差分RF信號(hào)進(jìn)行下變頻轉(zhuǎn)換且提供差分Q經(jīng)下變頻轉(zhuǎn)換的信號(hào)。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的集成電路，所述至少一個(gè)初級(jí)線圈包含
第一初級(jí)線圈，其以磁性方式耦合到所述第一次級(jí)線圈且接收所述單端RF信號(hào)，及
第二初級(jí)線圈，其以磁性方式耦合到所述第二次級(jí)線圈且接收所述單端RF信號(hào)。
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