[發明專利]具有穿過結合墊延伸的通路的堆疊式微電子組件

無效

• 申請號: 201080020532.1
• 申請日: 2010-03-12
• 公開（公告）號: CN102422412A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發明（設計）人: 摩西·柯瑞曼;奧舍·阿夫西楊;貝勒卡西姆·哈巴;賈爾斯·漢普斯頓;德米特里·布爾什滕
• 申請（專利權）人: 德塞拉股份有限公司
• 主分類號: H01L21/98
• 分類號: H01L21/98;H01L25/065;H01L21/768;H01L23/48
• 代理公司: 珠海智專專利商標代理有限公司 44262
• 代理人: 段淑華;劉曾劍

1.一種堆疊式微電子組件，包括：

第一微電子元件和第二微電子元件，每個都具有正面、位于所述正面上的結合墊、遠離正面的背面及在所述正面和背面之間延伸的邊緣，所述微電子元件堆疊為使得所述第一微電子元件的正面與所述第二微電子元件的正面或背面中的一個相鄰，所述微電子組件具有覆蓋所述第一和第二微電子元件中每個的表面的面，

其中所述第一和第二微電子元件中每個都包括沿微電子元件的表面延伸的導體層，且所述第一和第二微電子元件中至少一個包括：a）從所述背面向所述正面延伸的凹陷；b）從所述凹陷穿過所述結合墊延伸并與所述結合墊電連接的導電通路，其中所述至少一個微電子元件的所述導體層與所述通路電連接；

復數個引腳,從所述第一和第二微電子元件的所述導體層延伸；以及

所述組件的復數個端子,與所述引腳電連接。

2.根據權利要求1所述的微電子組件，其中所述引腳延伸至所述組件的所述表面上且所述端子暴露在所述組件的所述表面上。

3.根據權利要求1所述的微電子組件，其中所述微電子組件具有至少一個遠離所述表面延伸的邊緣面，每個邊緣面沿所述第一和第二微電子元件的邊緣延伸，所述引腳沿所述至少一個邊緣面延伸至所述組件的所述表面上。

4.根據權利要求1所述的微電子組件，其中所述微電子組件具有至少一個開口穿過所述第一和第二微電子元件中的至少一個延伸，所述引腳沿所述至少一個開口的表面延伸。

5.根據權利要求1所述的微電子組件，其中所述第一和第二微電子元件中每個都包括所述凹陷和所述導電通路，每個微電子元件的所述導體層與該微電子元件的所述通路電連接。

6.根據權利要求1所述的微電子組件，其中所述第一微電子元件包括所述凹陷和所述導電通路，所述第一微電子元件的所述導體層與所述第一微電子元件的所述通路電連接，所述第二微電子元件的所述導體層與其結合墊的表面電接觸，所述表面沿所述第二微電子元件的所述正面延伸。

7.根據權利要求1所述的微電子組件，其中至少一個微電子元件的所述導體層與所述凹陷的表面共形地延伸，且所述組件進一步包括覆蓋所述凹陷內所述導體層的介電層。

8.根據權利要求7所述微電子組件，其中所述導電通路包括襯在穿過所述結合墊延伸的孔內的導體層，其中所述介電層覆蓋所述孔內的所述導體層。

9.根據權利要求1所述微電子組件，進一步包括具有越過所述微電子元件的所述邊緣延伸的表面的介電層，其中所述導體層以第一方向沿所述介電層越過所述邊緣延伸的表面延伸。

10.根據權利要求9所述的微電子組件，其中至少一個所述引腳包括以第一方向延伸的部分，所述部分沿所述導體層中至少一個的所述部分延伸，所述引腳部分與所述導體層部分電接觸。

11.根據權利要求1所述微電子組件，其中所述至少一個引腳為第一引腳，其中至少一個第二引腳包括穿過所述引腳部分和所述導體層部分延伸的導電通路。

12.根據權利要求1所述的微電子組件，其中所述凹陷為第一凹陷，所述至少一個微電子元件的所述邊緣包括第二凹陷，其中所述導體層沿所述第二凹陷的表面延伸。

13.根據權利要求12所述的微電子組件，其中所述導體層進一步越過所述第二凹陷延伸至介電層的主表面上。

14.根據權要求1所述微電子組件，其中所述第一微電子元件進一步包括圖像傳感器，且所述組件進一步包括覆蓋所述圖像傳感器的透明蓋。

15.根據權利要求14所述的微電子組件，其中在所述蓋與所述微電子元件的表面之間設置有空腔，所述圖像傳感器與所述空腔對齊。

16.根據權利要求1所述的微電子組件，進一步包括安裝至所述第一微電子元件表面上方的蓋，其中在所述正面與所述蓋之間設置有空腔，所述第一微電子元件包括與所述空腔對齊的微機電系統（“MEMS”）器件。

17.根據權利要求1所述的微電子組件，其中所述凹陷呈錐形，隨著與所述背面間距離的增加而變小。