[發明專利]晶片承載器軌道

有效

• 申請號: 201080020492.0
• 申請日: 2010-03-16
• 公開（公告）號: CN102422407A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發明（設計）人: 何甘;雷格·東克;凱思德·索拉布吉;羅杰·哈曼吉;安德瑞斯·海吉杜斯
• 申請（專利權）人: 奧塔裝置公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;B65G51/03;B65G49/06;B65G54/02;H01L21/205
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 李冬梅;鄭霞

1.一種用于使晶片承載器在氣相沉積反應器系統內漂浮和橫移的晶片承載器軌道，包括：

軌道組件的上部，其被布置在所述軌道組件的下部上；

氣體空腔，其被形成在所述軌道組件的所述上部和所述下部之間；

導向路徑，其沿著所述上部的上表面延伸；

兩個側表面，其沿著所述導向路徑并且在所述導向路徑上方并且平行于彼此延伸，其中所述導向路徑在所述兩個側表面之間延伸；

多個氣體孔，其在所述導向路徑內并且從所述上部的所述上表面延伸，穿過所述上部，并且進入所述氣體空腔中；以及

被布置在所述軌道組件的一端處的上搭接接合部和被布置在所述軌道組件的相對端處的下搭接接合部，其中所述上搭接接合部沿著所述兩個側表面和所述導向路徑的一部分延伸，并且所述下搭接接合部包括比所述軌道組件的所述導向路徑和所述兩個側表面延伸得更遠的上表面。

2.根據權利要求1所述的晶片承載器軌道，其中所述軌道組件的所述上部包括石英。

3.根據權利要求1所述的晶片承載器軌道，其中所述軌道組件的所述下部包括石英。

4.根據權利要求1所述的晶片承載器軌道，其中所述軌道組件的所述上部和所述下部中的每個獨立地包括石英。

5.根據權利要求4所述的晶片承載器軌道，其中所述軌道組件的所述上部和所述下部被熔合在一起。

6.根據權利要求5所述的晶片承載器軌道，其中所述軌道組件的所述上部和所述下部包括石英。

7.根據權利要求6所述的晶片承載器軌道，其中所述軌道組件的所述下部包括石英板。

8.根據權利要求1所述的晶片承載器軌道，其中氣體口從所述軌道組件的所述上部的側表面延伸，穿過所述軌道組件的所述上部的一部分，并且進入所述氣體空腔中。

9.根據權利要求1所述的晶片承載器軌道，其中所述多個氣體孔包括約10個孔至約50個孔。

10.根據權利要求9所述的晶片承載器軌道，其中所述多個氣體孔包括約20個孔至約40個孔。

11.根據權利要求10所述的晶片承載器軌道，其中每個氣體孔具有在約0.005英寸至約0.05英寸的范圍內的直徑。

12.根據權利要求11所述的晶片承載器軌道，其中所述直徑在約0.01英寸至約0.03英寸的范圍內。

13.根據權利要求1所述的晶片承載器軌道，還包括被布置在所述導向路徑上的漂浮晶片承載器，并且所述漂浮晶片承載器包括被布置在下表面內的至少一個凹陷窩。

14.根據權利要求13所述的晶片承載器軌道，其中所述漂浮晶片承載器包括被布置在所述下表面內的至少兩個凹陷窩。

15.根據權利要求13所述的晶片承載器軌道，其中所述漂浮晶片承載器包括石墨。

16.一種晶片承載器軌道系統，包括至少兩個如權利要求1所述的晶片承載器軌道，所述晶片承載器軌道系統包括：

第一晶片承載器軌道的上搭接接合部，其被布置在第二晶片承載器軌道的下搭接接合部上；

排氣口，其被形成在所述第一晶片承載器軌道的所述上搭接接合部和所述第二晶片承載器軌道的所述下搭接接合部之間；以及

第一導向路徑，其在所述第一晶片承載器軌道的上表面上且與所述第二晶片承載器軌道的上表面上的第二導向路徑對準。

17.根據權利要求16所述的晶片承載器軌道系統，包括：

所述第二晶片承載器軌道的上搭接接合部，其被布置在第三晶片承載器軌道的下搭接接合部上。